[發明專利]光纖熔接機的光纖端面推進控制方法及系統有效
| 申請號: | 201711067188.1 | 申請日: | 2017-11-02 |
| 公開(公告)號: | CN107632344B | 公開(公告)日: | 2020-03-06 |
| 發明(設計)人: | 李楚元 | 申請(專利權)人: | 一諾儀器(中國)有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/255 | 分類號: | G02B6/255 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人: | 王葉娟;胡晶 |
| 地址: | 264207 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 熔接 端面 推進 控制 方法 系統 | ||
1.一種光纖熔接機的光纖端面推進控制方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:控制第一光纖和第二光纖相對推進,直至在可視區域中檢測到;
S2:獲取圖像數據,檢測所述圖像數據中的亮度情況,并計算所述第一光纖和第二光纖的端面在圖像中的位置;
S3:設置第一電機的推進步數,計算對應所述第一光纖的端面的推進距離;根據推進后所述第一光纖的端面位置距電極棒的距離,計算所述第二光纖的端面的推進距離及第二電機的推進步數;
S31:設置所述第一電機的推進步數,并根據所述第一電機的推進步數及第一電機的步進量計算出所述第一光纖的端面的推進距離,計算公式為:
l_dis=l_step/l_calc_dis
其中,l_dis為第一光纖的端面的推進距離;l_step為第一電機的推進步數;l_calc_dis為第一電機的步進量,其含義為第一電機的推進步數與像素之間的比例系數,比例系數為常量;
S32:根據所述第一光纖的端面的推進距離和推進前所述第一光纖的端面位置,計算出第一電機推進后第一光纖的端面位置距電極棒的距離,計算公式為:
gap=elecPos-lEndfacePos-l_dis
其中,gap為第一電機推進后第一光纖的端面位置距電極棒的距離;elecPos為電極棒的位置;lEndfacePos為推進前所述第一光纖的端面位置;l_dis為第一光纖的端面的推進距離;
S33:根據推進后的第一光纖的端面位置距電極棒的距離和推進前第二光纖的端面的位置計算出第二光纖的端面的推進距離,計算公式為:
r_dis=rEndfacePos-elecPos–gap
其中,r_dis為第二光纖的端面的推進距離;rEndfacePos:推進前第二光纖的端面的位置;
S34:將第二光纖的端面的推進距離轉換成第二電機的推進步數,計算公式為:
r_step=r_dis*r_calc_dis
其中,r_step為第二電機的推進步數;r_dis為第二光纖的端面的推進距離;r_calc_dis為第二電機的步進量,其含義為第二電機的推進步數與像素之間的比例系數,比例系數為常量。
S4:根據所述第一電機的推進步數和所述第二電機的推進步數,控制第一電機和第二電機運行而分別推進所述第一光纖和第二光纖。
2.如權利要求1所述的光纖熔接機的光纖端面推進控制方法,其特征在于,所述步驟S2中,計算第一光纖或第二光纖的端面在圖像中的位置包括以下步驟:
S21:取圖像數據,檢測所述圖像數據中的亮度情況,根據亮度情況確定光纖的包層信息;
S22:從光纖的上包層部分取若干像素行,判斷查找每行大于特定陰影亮度值的像素點,從下包層部分取若干像素行,判斷查找每行大于特定陰影亮度值的像素點;
S23:使用最小二乘法計算出所查找到的像素點的直線描述方程,從而計算出光纖的端面位置。
3.如權利要求2所述的光纖熔接機的光纖端面推進控制方法,其特征在于,所述步驟S2還包括步驟S24:根據所述直線描述方程判斷該光纖端面是否為斜面,若為斜面,則繼續判斷,若為第一光纖,則更換所述第一光纖并返回步驟S1執行,若為第二光纖,則更換所述第二光纖并返回步驟S1執行;若為非斜面,則繼續執行。
4.如權利要求2所述的光纖熔接機的光纖端面推進控制方法,其特征在于,所述步驟S21之前,還包括步驟S20:控制所述第一電機和第二電機先推進所述第一光纖和第二光纖預設步數。
5.如權利要求1所述的光纖熔接機的光纖端面推進控制方法,其特征在于,在所述步驟S1之前還包括步驟B1:電極棒進行放電,然后計算出圖像上每一列的亮度均值,再使用質心法計算出這一組亮度均值數據的中心,對應的位置即為電極棒在圖像中的位置。
6.如權利要求1所述的光纖熔接機的光纖端面推進控制方法,其特征在于,該方法執行在光纖端面清潔放電前,分別推進所述第一光纖和第二光纖至左清潔放電位置和右清潔放電位置處。
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