[發(fā)明專利]可編程芯片電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711067134.5
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN109765987B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙凱;沈磊;李建忠;俞劍;徐烈偉;于芳
• 申請（專利權(quán)）人: 上海復旦微電子集團股份有限公司
• 主分類號: G06F1/3296
• 分類號: G06F1/3296;G06F15/78
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 潘彥君;吳敏

1.一種可編程芯片電路，包括：功能電路，所述功能電路包括：一個或者多個相互耦接的功能模塊，其特征在于，還包括：

背偏置電路，所述背偏置電路與所述功能模塊耦接，適于生成背偏壓信號，調(diào)節(jié)所述功能模塊的工作模式；

所述背偏置電路包括：背偏置模塊、背偏壓信號通道和背偏壓信號選擇模塊，其中：

所述背偏置模塊，與所述背偏壓信號通道耦接，適于生成背偏壓信號；

所述背偏壓信號通道，與所述背偏壓信號選擇模塊耦接，適于基于所述背偏置模塊生成的背偏壓信號合成全局背偏壓信號，并輸出至所述背偏壓信號選擇模塊；

所述背偏壓信號選擇模塊，通過第一端口和第二端口與所述功能模塊耦接，適于根據(jù)所述功能模塊的性能需求，輸出對應的全局背偏壓信號至所述第一端口和所述第二端口，調(diào)節(jié)所述功能模塊的工作模式，其中所述第一端口接入所述功能模塊的NMOS管的背偏壓，所述第二端口接入所述功能模塊的PMOS管的背偏壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏置模塊適于生成多個背偏壓信號。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏壓信號為負電壓信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏置模塊為多個，適于放置在所述可編程芯片電路板的四個角，或者按面積均分法均勻放置在所述可編程芯片電路板上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏置模塊與所述背偏壓信號通道耦接包括：所述可編程芯片電路板中一列所述背偏置模塊與一路所述背偏壓信號通道耦接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏壓信號通道，適于將取值相同的背偏壓信號耦接到一路，作為全局背偏壓信號的一部分或者全部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述全局背偏壓信號還包括以下至少一種：內(nèi)核電壓信號、地信號和I/O電壓信號。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述功能電路包括：相互耦接的I/O模塊、可編程邏輯模塊和專用邏輯模塊，其中所述I/O模塊、所述可編程邏輯模塊和所述專用邏輯模塊均為獨立的所述功能模塊。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏壓信號選擇模塊包括：

第一選擇子模塊，適于當所述功能模塊需要高性能時，輸出正電壓信號輸出至所述第一端口，輸出負電壓信號至所述第二端口，調(diào)節(jié)所述功能模塊處于高功耗低時延工作模式；

第二選擇子模塊，適于當所述功能模塊需要低性能時，輸出負電壓信號輸出至所述第一端口，輸出正電壓信號至所述第二端口，調(diào)節(jié)所述功能模塊處于低功耗高時延工作模式。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏壓信號選擇模塊還包括：

識別子模塊，適于識別目標電路中的全局背偏壓信號；

布局子模式，適于將對應相同全局背偏壓信號的所述功能模塊對應的程序代碼放置于相同的所述可編程邏輯模塊中；

布線子模塊，適于根據(jù)所述功能模塊的性能需求，選擇對應的全局背偏壓信號輸出至所述功能模塊。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可編程芯片電路，其特征在于，還包括：

配置模塊，適于通過下載獲取參數(shù)取值并配置至其對應的配置單元。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的可編程芯片電路，其特征在于，所述背偏置電路作為所述可編程芯片電路的所述I/O模塊。