[發明專利]圖像傳感器及用于形成圖像傳感器的方法

在審

• 申請號: 201711066911.4
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN107819001A
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發明（設計）人: 王月;陳世杰;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 田菁

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

第一半導體材料層，所述第一半導體材料層中形成有第一光電二極管；以及

位于所述第一半導體材料層之上的第二半導體材料層，所述第二半導體材料層中形成有第二光電二極管，

其中，所述第一光電二極管和所述第二光電二極管在平行于所述第一半導體材料層的主表面的平面圖中重疊。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括：

位于所述第二半導體材料層之上的第三半導體材料層，所述第三半導體材料層中形成有第三光電二極管。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一光電二極管、所述第二光電二極管、以及所述第三光電二極管在所述平面圖中重疊。

4.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層、以及所述第三半導體材料層的厚度均為1～3μm。

5.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，

所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層、以及所述第三半導體材料層均為第一導電類型，并且

在所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層以及所述第三半導體材料層中分別形成有第二導電類型的區域，從而分別在所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層、以及所述第三半導體材料層中形成所述第一光電二極管、所述第二光電二極管、以及所述第三光電二極管。

6.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括：

第一隔離區，位于所述第一半導體材料層中且在所述第一光電二極管周圍；

第二隔離區，位于所述第二半導體材料層中且在所述第二光電二極管周圍；以及

第三隔離區，位于所述第三半導體材料層中且在所述第三光電二極管周圍。

7.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層、所述第三半導體材料層、所述第一隔離區、所述第二隔離區、以及所述第三隔離區均為第一導電類型，且所述第一隔離區、所述第二隔離區、以及所述第三隔離區的摻雜濃度分別高于所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層、以及所述第三半導體材料層的摻雜濃度。

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層、以及所述第三半導體材料層的摻雜濃度的范圍為1×10¹⁰cm^-3～1×10¹³cm^-3，所述第一隔離區、所述第二隔離區、以及所述第三隔離區的摻雜濃度的范圍為1×10¹¹cm^-3～1×10¹⁵cm^-3。

9.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括襯底，其中，所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層、以及所述第三半導體材料層位于所述襯底的上表面之上。

10.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述第一半導體材料層、所述第二半導體材料層、以及所述第三半導體材料層均是通過外延生長而形成的。