[發(fā)明專利]一種用于抑制單晶葉片雜晶缺陷形成的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201711064204.1
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN108097877A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙玉濤;費孝順;梁向鋒;張釗;馬德新;徐維臺;彭發(fā)根
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇大學(xué);江蘇晶海新材料科技有限公司
• 主分類號: B22C9/04
• 分類號: B22C9/04;B22C9/22;B22D27/04;C30B11/00;C30B29/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于抑制單晶葉片雜晶缺陷形成的方法，其特征在于，按照如下步驟進行：

(1)根據(jù)具體葉片變截面結(jié)構(gòu)及尺寸，制備熱導(dǎo)體環(huán)；

(2)葉片蠟?zāi)Ｔ诹軡{掛砂至第二層后，將熱導(dǎo)體環(huán)粘貼在葉片變截面處；

(3)干燥后，對葉片蠟?zāi)＠^續(xù)進行淋漿掛砂，使熱導(dǎo)體環(huán)埋于型殼變截面位置；

(4)型殼干燥后進行脫蠟燒結(jié)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種用于抑制單晶葉片雜晶缺陷形成的方法，其特征在于，步驟(1)中所述的熱導(dǎo)體環(huán)的材料為石墨，厚度為1-3mm；其形狀為葉片變截面除去與葉身接觸區(qū)域后的環(huán)狀；其橫截面尺寸與葉片變截面尺寸誤差控制在1-3mm。

3.如權(quán)利要求1所述的一種用于抑制單晶葉片雜晶缺陷形成的方法，其特征在于，步驟(2)中所述的熱導(dǎo)體環(huán)具體粘貼方法為：將熱導(dǎo)體環(huán)浸入粘度為20-50s的漿料中，取出后貼在經(jīng)粘度為15-30s的漿料潤濕后的葉片變截面處的上部或下部，靜置干燥15-60min。

4.如權(quán)利要求3所述的一種用于抑制單晶葉片雜晶缺陷形成的方法，其特征在于，漿料指淋漿掛砂過程中用到的漿料，是采用電熔剛玉粉或鋯粉與硅溶膠配置的漿料，通過調(diào)整粉液比得到需求的黏度。

5.如權(quán)利要求1所述的一種用于抑制單晶葉片雜晶缺陷形成的方法，其特征在于，步驟(3)中所述的葉片蠟?zāi)１砻嫘蜌訑?shù)為4～10層，每層淋漿掛砂后干燥4-8小時，最后對型殼進行封漿處理。

6.如權(quán)利要求1所述的一種用于抑制單晶葉片雜晶缺陷形成的方法，其特征在于，步驟(4)中所述的脫蠟方法為高壓蒸汽法，溫度為150-200℃，壓力為0.5-0.8MPa；焙燒溫度為1100-1400℃，焙燒時間控制在1-3小時，焙燒完成后采用隨爐冷卻。

7.如權(quán)利要求6所述的一種用于抑制單晶葉片雜晶缺陷形成的方法，其特征在于，焙燒方法為：首先，型殼在400-600℃下焙燒(燒殘蠟)，時間為30-60min；然后，高溫焙燒，溫度為1000-1400℃，時間控制在1-3個小時；可直接高溫焙燒，也可在真空條件下，或者在密閉的燒結(jié)爐中放置石墨碎塊后焙燒，焙燒完成后隨爐冷卻。