[發(fā)明專利]一種聲波輔助的粒狀多晶硅流化床生產(chǎn)裝置

在審

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• 申請日: 2017-11-01
• 公開（公告）號: CN107715815A
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈劍
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波工程學(xué)院
• 主分類號: B01J19/10
• 分類號: B01J19/10;C01B33/021
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種聲波輔助的粒狀多晶硅流化床生產(chǎn)裝置，其特征在于所述的生產(chǎn)裝置由聲波發(fā)生器、流化床外壁、錐形圓環(huán)面、內(nèi)套筒、圓環(huán)氣體均布器、圓環(huán)隔斷面、錐形圓環(huán)氣體均布器、出料管、同心套管和加熱器構(gòu)成；所述的流化床外壁由上圓錐封頭、圓筒壁和下圓錐封頭組成；所述上圓錐封頭的側(cè)面設(shè)置有晶種進口管和廢氣排出口；所述圓筒壁通過錐形圓環(huán)面與內(nèi)套筒的上端連接、通過圓環(huán)氣體均布器與內(nèi)套筒的中間連接、通過圓環(huán)隔斷面與內(nèi)套筒的下端連接；所述錐形圓環(huán)面、內(nèi)套筒、圓筒壁和圓環(huán)氣體均布器圍成了第一氣體緩沖腔；所述圓環(huán)隔斷面、內(nèi)套筒、圓筒壁和圓環(huán)氣體均布器圍成了第二氣體緩沖腔；所述第二氣體進口設(shè)置在圓筒壁上并與第一氣體緩沖腔連通；所述加熱器設(shè)置在第二氣體緩沖腔的內(nèi)部；所述的錐形圓環(huán)氣體均布器的外邊沿與圓環(huán)隔斷面的內(nèi)邊沿連接，氣體均布器的出料口與出料管的一端連接，所述出料管穿過下圓錐封頭；所述圓環(huán)隔斷面、錐形圓環(huán)氣體均布器、出料管和下圓錐封頭圍成了第三氣體緩沖腔；所述第一氫氣進口設(shè)置在下圓錐封頭上并與第三氣體緩沖腔連通；所述同心套管穿過出料管并深入到生產(chǎn)裝置的內(nèi)部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)裝置，其特征在于所述的同心套管的中心軸與出料管的中心軸重合，且同心套管的外徑小于出料管的內(nèi)徑10~50 mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)裝置，其特征在于所述的內(nèi)套筒上開有直徑為1~3 mm的氣孔，內(nèi)套筒的開孔率為5~10%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)裝置，其特征在于所述的圓環(huán)氣體均布器上開有直徑為0.5~2 mm的氣孔，圓環(huán)氣體均布器的開孔率為10~15%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)裝置，其特征在于所述的錐形圓環(huán)氣體均布器上開有直徑為2~5 mm的氣孔，錐形圓環(huán)氣體均布器的開孔率為10~18%。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣孔，其特征在于所述的氣孔的中心軸與內(nèi)套筒的中心軸相交形成交角ɑ，ɑ的角度值為10~45度。