[發(fā)明專利]成膜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711057866.6
• 申請日: 2017-11-01
• 公開（公告）號: CN109755101B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/44;C23C16/54
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種成膜方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)提供一第一邊界最小重疊環(huán)(1)，所述第一邊界最小重疊環(huán)包括第一環(huán)形主體(11)，所述第一環(huán)形主體(11)具有位于所述第一環(huán)形主體內(nèi)側(cè)的第一環(huán)形阻擋區(qū)域(12)及位于所述第一環(huán)形阻擋區(qū)域內(nèi)側(cè)的上下貫通的第一開口(13)，其中，所述第一環(huán)形阻擋區(qū)域內(nèi)形成有若干個沿其軸向間隔排布的通孔(14)；

2)提供一晶圓(3)，將所述晶圓置于所述第一邊界最小重疊環(huán)的下方，所述晶圓的邊緣延伸至所述第一環(huán)形阻擋區(qū)域的下方，且所述第一開口暴露出所述晶圓的上表面；于所述晶圓的上表面形成初始膜層(41)，所述初始膜層覆蓋所述晶圓位于所述第一開口內(nèi)的上表面及位于所述第一環(huán)形阻擋區(qū)域下方的邊緣區(qū)域；

3)提供一第二邊界最小重疊環(huán)(2)，所述第二邊界最小重疊環(huán)包括第二環(huán)形主體(21)，所述第二環(huán)形主體具有位于所述第二環(huán)形主體內(nèi)側(cè)的第二環(huán)形阻擋區(qū)域(22)及位于所述第二環(huán)形阻擋區(qū)域內(nèi)側(cè)的上下貫通的第二開口(23)；其中，所述第二環(huán)形阻擋區(qū)域沿其周向未設(shè)有通孔；

4)將表面形成有所述初始膜層的晶圓置于所述第二邊界最小重疊環(huán)的下方，所述晶圓的邊緣延伸至所述第二環(huán)形阻擋區(qū)域的下方，且所述第二開口暴露出所述初始膜層的上表面；于所述初始膜層的上表面形成主體膜層(42)；其中，所述初始膜層和所述主體膜層共同構(gòu)成所需膜層(4)。

2.如權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于：在所述步驟4)之后還包括對所完成所述步驟4)的晶圓上表面進行化學(xué)機械研磨拋光的工藝以使所述主體膜層表面平整。

3.如權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于：在所述步驟4)之后還包括對完成所述步驟4)的晶圓上表面進行刻蝕的工藝以使所述主體膜層表面平整。

4.如權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述通孔的中心至所述第一邊界最小重疊環(huán)內(nèi)徑邊緣的距離為選自于由1.25mm、1.75mm和2.25mm所構(gòu)成群組的其中之一。

5.如權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述膜層包括選自于由鎢膜、鋁膜、鈦膜、鉭膜、鉑膜、銅膜和鉬膜所構(gòu)成群組的其中之一膜層或上述膜層的組合。

6.如權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述步驟2)中，所述第一邊界最小重疊環(huán)通過一固定銷套件(7)的固定懸空于所述晶圓上；步驟4)中，所述第二邊界最小重疊環(huán)通過另一固定銷套件的固定懸空于所述晶圓上。

7.如權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于：步驟2)中，于所述晶圓的上表面形成所述初始膜層的過程中，還包括自所述第一環(huán)形阻擋區(qū)域下方通入清潔氣體進行清潔的步驟。

8.如權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于：步驟4)中，于所述晶圓的上表面形成所述主體膜層的過程中，還包括自所述第二環(huán)形阻擋區(qū)域下方通入清潔氣體進行清潔的步驟。

9.如權(quán)利要求7或8所述的成膜方法，其特征在于：所述清潔氣體包括氮氣或惰性氣體。

10.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的成膜方法，其特征在于：所述第一邊界最小重疊環(huán)及所述第二邊界最小重疊環(huán)均為陶瓷環(huán)。

11.如權(quán)利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述主體膜層的厚度大于所述初始膜層的厚度，且所述主體膜層對應(yīng)于所述第二開口部分的厚度大于所述主體膜層對應(yīng)于所述第二環(huán)形阻擋區(qū)域下方部分的厚度。