[發(fā)明專利]一種降低單晶棒假性高電阻的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711056855.6 | 申請(qǐng)日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107761173A | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 付家云;夏志科;夏年豐;吳平;趙軍;胡瑾;曾霞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 四川永祥硅材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B33/02 | 分類號(hào)： | C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 王學(xué)強(qiáng),羅滿 |
| 地址： | 614800 四川省*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 降低 單晶棒 假性 電阻 方法 | ||
1.一種降低單晶棒假性高電阻的方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)挑選出假性高電阻單晶棒進(jìn)行登記信息；
(2)用帶有酒精的無(wú)塵紙將單晶棒表面擦拭干凈；
(3)將單晶棒放置在石墨底板上，然后送入鑄錠爐內(nèi)，關(guān)閉鑄錠爐將爐內(nèi)抽真空至0.008MPa以下；
(4)先預(yù)熱，然后快速加熱至600～700℃；
(5)爐內(nèi)溫度在660℃下穩(wěn)定1～2小時(shí)后停爐，開啟冷卻系統(tǒng)冷卻至溫度為500℃；
(6)取出單晶棒對(duì)其進(jìn)行快速冷卻至常溫；
(7)檢測(cè)單晶棒的電阻率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低單晶棒假性高電阻的方法，其特征在于，所述步驟(3)中單晶棒和石墨底板之間放置有晶圓厚片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低單晶棒假性高電阻的方法，其特征在于，所述步驟(3)中每個(gè)石墨底板上放置20～30個(gè)單晶棒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低單晶棒假性高電阻的方法，其特征在于，所述步驟(4)中預(yù)熱時(shí)間為5～10分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低單晶棒假性高電阻的方法，其特征在于，所述步驟(5)中冷卻系統(tǒng)為空氣制冷或水冷盤中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低單晶棒假性高電阻的方法，其特征在于，所述步驟(6)中快速冷卻采用工業(yè)風(fēng)扇進(jìn)行冷卻。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低單晶棒假性高電阻的方法，其特征在于，所述步驟(7)中檢測(cè)電阻率的方法為四探針電阻測(cè)試儀，對(duì)單晶棒采用三點(diǎn)測(cè)試法。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低單晶棒假性高電阻的方法，其特征在于，所述步驟(7)中檢測(cè)不合格的單晶棒重新進(jìn)行降低高電阻的處理。
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