[發明專利]一種集成封裝半導體器件

有效

• 申請號: 201711049618.7
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN109727944B
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L25/07;H01L23/31
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 張臻賢;屈小春

本發明公開了一種集成封裝半導體器件，包括：訊號轉接基板，訊號轉接基板底部表面的周邊設置有倒角；封裝基板，封裝基板的上表面承載訊號轉接基板；芯片，訊號轉接基板的上表面承載芯片；第一填充膠，第一填充膠填充于封裝基板與訊號轉接基板之間，其中，訊號轉接基板相對于封裝基板的熱膨脹系數差異大于訊號轉接基板相對于芯片的熱膨脹系數差異。訊號轉接基板底部表面的周邊設置倒角，即將容易集中應力的尖銳的直角進行切割或者打磨形成倒角，目的是將應力進行分散，避免由于應力太大導致填充的第一填充膠產生裂痕，提高集成封裝半導體器件的良率。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，特別涉及一種集成封裝半導體器件。

背景技術

SIP(System In a Package)是將多種功能芯片，例如處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內，從而實現一個基本完整的功能的封裝工藝。SIP是采用不同芯片進行并排或疊加的封裝方式，其封裝基板上的走線比較寬，很容易導致布線擁塞，因此，對可實現的芯片類型以及芯片連接數量有很大的限制，由此出現了2.5D封裝工藝。

在2.5D或者3D封裝中，設置訊號轉接基板的目的是通過熱膨脹系數匹配的訊號轉接基板減低芯片與封裝基板之間的接口應力，然而，當熱應力較高時，訊號轉接基板與封裝基板之間的熱膨脹系數并不匹配，由此產生的較高的熱應力導致從訊號轉接基板的底部邊緣或角落延伸到封裝基板產生裂紋，導致封裝基板微量破碎或斷裂。

因此，如何緩解熱應力沿轉接基板的底部邊緣或角落的破壞作用，進而避免封裝基板微量破碎或斷裂的風險，是本領域技術人員急需要解決的技術問題。

在背景技術中公開的上述信息僅用于加強對本發明的背景的理解，因此其可能包含沒有形成為本領域普通技術人員所知曉的現有技術的信息。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例希望提供一種集成封裝半導體器件，以至少解決現有技術中存在的技術問題。

本發明實施例的技術方案是這樣實現的，根據本發明的一個實施例，提供了一種集成封裝半導體器件，包括：

訊號轉接基板，所述訊號轉接基板底部表面的周邊設置有倒角；

封裝基板，所述封裝基板的上表面承載所述訊號轉接基板；

芯片，所述訊號轉接基板的上表面承載所述芯片；

第一填充膠，填充于所述封裝基板與所述訊號轉接基板之間；

其中，所述訊號轉接基板相對于所述封裝基板的熱膨脹系數差異大于所述訊號轉接基板相對于所述芯片的熱膨脹系數差異。

優選的，在上述集成封裝半導體器件中，所述倒角為單平面倒角。

優選的，在上述集成封裝半導體器件中，所述倒角為多平面倒角。

優選的，在上述集成封裝半導體器件中，所述倒角為圓弧倒角。

優選的，在上述集成封裝半導體器件中，所述訊號轉接基板包括硅中介層，以及設置于所述硅中介層上表面的上表面金屬層和設置于所述硅中介層下表面的下表面金屬層，所述上表面金屬層表面分布有第一焊盤陣列，所述下表面金屬層表面分布有第一凸塊陣列。

優選的，在上述集成封裝半導體器件中，所述訊號轉接基板中貫穿有導電穿孔，所述導電穿孔的一端與對應的所述第一凸塊陣列連接，另一端與所述第一焊盤陣列連接。

優選的，在上述集成封裝半導體器件中，所述訊號轉接基板還包括重布線層，所述重布線層的上表面分布有第二焊盤陣列，所述第二焊盤陣列與對應的所述第一焊盤陣列電連接且具有較小的焊盤間隔。