[發明專利]淺溝槽隔離結構的凹陷區處理方法及半導體元器件

在審

• 申請號: 201711049448.2
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN109727905A
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 張松;梁志彬;劉濤;金炎;王德進
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種淺溝槽隔離結構的凹陷區處理方法，包括：

提供在襯底上形成有淺溝槽隔離結構的晶圓，且淺溝槽隔離結構上表面在與有源區交界處形成有凹陷區；

在所述晶圓表面淀積氧化硅，且所述氧化硅填滿所述凹陷區；

干法刻蝕淀積的所述氧化硅，通過控制刻蝕深度使得既能露出襯底的有源區表面、又能盡量保留所述凹陷區內填充的氧化硅；

在所述有源區表面熱氧化生長柵氧化層。

2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的凹陷區處理方法，其特征在于，所述在所述有源區表面熱氧化生長柵氧化層的步驟之后，還包括在所述晶圓表面淀積多晶硅的步驟。

3.根據權利要求2所述的淺溝槽隔離結構的凹陷區處理方法，其特征在于，還包括刻蝕所述多晶硅形成多晶硅柵的步驟。

4.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的凹陷區處理方法，其特征在于，所述在所述晶圓表面淀積氧化硅的步驟，是淀積高溫氧化膜。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的淺溝槽隔離結構的凹陷區處理方法，其特征在于，所述在所述晶圓表面淀積氧化硅的步驟中，淀積的氧化硅厚度為所述凹陷區深度的40％以上。

6.根據權利要求5所述的淺溝槽隔離結構的凹陷區處理方法，其特征在于，所述厚度為所述凹陷區深度的40％～60％。

7.根據權利要求5所述的淺溝槽隔離結構的凹陷區處理方法，其特征在于，所述厚度為所述凹陷區深度的一半。

8.一種半導體元器件，包括襯底、襯底上的淺溝槽隔離結構、襯底的有源區表面上的柵氧化層、以及柵氧化層上的多晶硅柵，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構上表面在與有源區交界處形成有凹陷區，所述凹陷區內被氧化硅填充。

9.根據權利要8所述的半導體元器件，其特征在于，所述氧化硅是通過淀積工藝形成。

10.根據權利要9所述的半導體元器件，其特征在于，所述淀積工藝是淀積高溫氧化膜。