[發明專利]制造具有優化柵極氧化物厚度的存儲器件

在審

• 申請號: 201711047712.9
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108010914A
• 公開（公告）日: 2018-05-08
• 發明（設計）人: 常潤滋;W·李;P·李
• 申請（專利權）人: 馬維爾國際貿易有限公司
• 主分類號: H01L27/112
• 分類號: H01L27/112;H01L29/423;H01L21/8246
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅;張昊

1.一種方法，包括：

露出集成電路(IC)管芯的可編程存儲器件和處理器核心器件的相應柵極區域，并且封閉所述IC管芯的輸入/輸出(I/O)器件的柵極區域；

從所述可編程存儲器件和所述處理器核心器件的露出的相應柵極區域中蝕刻第一層的氧化物材料；

在所述IC管芯上形成第二層的氧化物材料，所述第二層的氧化物材料涂覆所述可編程存儲器件、所述處理器核心器件和所述I/O器件的相應柵極區域；

露出所述可編程存儲器件的柵極區域，并且封閉所述處理器核心器件和所述I/O器件的相應柵極區域；

從所述可編程存儲器件的露出的柵極區域中蝕刻所述第二層的氧化物材料；以及

在所述IC管芯上形成第三層的氧化物材料，所述第三層的氧化物材料涂覆所述IC管芯的所述可編程存儲器件、所述處理器核心器件和所述I/O器件的相應柵極區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述可編程存儲器件的柵極區域上的所述第三層的氧化物材料的厚度小于所述處理器核心器件的柵極區域上的所述第二層的氧化物材料和所述第三層的氧化物材料的組合厚度。

3.根據權利要求1所述的方法，其中露出所述IC管芯的所述處理器核心器件和所述可編程存儲器件的相應柵極區域并且封閉所述IC管芯的I/O器件的柵極區域包括：沉積光刻膠材料，將光輻射通過光刻掩模，以及顯影所述光刻膠材料。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述光刻膠材料是正光刻膠材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述第一層的氧化物材料、所述第二層的氧化物材料或所述第三層的氧化物材料，從而形成氮氧化硅材料層、二氧化硅材料層或氮化硅材料層。

6.根據權利要求1所述的方法，其中橫跨所述IC管芯，經由化學氣相沉積形成所述第一層的氧化物材料、所述第二層的氧化物材料或所述第三層的氧化物材料。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：在所述可編程存儲器件的氧化物柵極界面處，在所述第三層的氧化物材料中形成拓撲粗糙部。

8.一種方法，包括：

露出集成電路(IC)管芯的可編程存儲器件和處理器核心器件的相應柵極區域，并且封閉所述IC管芯的輸入/輸出(I/O)器件的柵極區域；

從所述可編程存儲器件和所述處理器核心器件的露出的相應柵極區域中蝕刻第一層的氧化物材料；

在所述IC管芯上形成第二層的氧化物材料，所述第二層的氧化物材料涂覆所述可編程存儲器件、所述處理器核心器件和所述I/O器件的相應柵極區域；

露出所述處理器核心器件的柵極區域，并且封閉所述可編程存儲器件和所述I/O器件的相應柵極區域；

從所述處理器核心器件的露出的柵極區域中蝕刻所述第二層的氧化物材料；以及

在所述IC管芯上形成第三層的氧化物材料，所述第三層的氧化物材料涂覆所述IC管芯的所述可編程存儲器件、所述處理器核心器件和所述I/O器件的相應柵極區域。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述可編程存儲器件的柵極區域上的所述第三層的氧化物材料的厚度大于所述處理器核心器件的柵極區域上的所述第二層的氧化物材料和所述第三層的氧化物材料的組合厚度。

10.根據權利要求8所述的方法，其中露出所述處理器核心器件的柵極區域并封閉所述可編程存儲器件和所述I/O器件的相應柵極區域包括：沉積光刻膠材料，將光輻射通過光刻掩模，以及顯影所述光刻膠材料。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述光刻膠材料是正光刻膠材料。

12.根據權利要求8所述的方法，其中形成所述第一層的氧化物材料、所述第二層的氧化物材料或所述第三層的氧化物材料，從而形成氮氧化硅材料層、二氧化硅材料層或氮化硅材料層。