[發(fā)明專利]載流子傳輸層的制備方法及磁控濺射裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711046174.1
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN107871802B
• 公開（公告）日: 2019-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 常帥;鐘海政
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 董天寶;于寶慶

1.一種載流子傳輸層的制備方法，其特征在于，包括：

提供一導電基板；

將貴金屬和載流子傳輸層材料制成靶材；

采用磁控濺射，在所述導電基板上同時沉積貴金屬和載流子傳輸層材料，得到貴金屬納米顆粒摻雜的載流子傳輸層；以及

利用一遮掩板部分地遮蓋所述靶材，使所述載流子傳輸層材料繼續(xù)沉積在所述貴金屬納米顆粒摻雜的載流子傳輸層上以形成一保護層，其中所述遮掩板將所述貴金屬完全遮蓋而使所述載流子傳輸層材料部分或全部地露出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述保護層的厚度小于10nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述載流子傳輸層材料為圓形且位于所述靶材的中心，所述貴金屬以環(huán)狀附著于所述載流子傳輸層材料的外圍，所述遮掩板為環(huán)狀，其內(nèi)徑小于所述靶材中所述載流子傳輸層材料的直徑，外徑大于所述靶材中所述貴金屬的直徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在形成所述保護層后，還包括對所述貴金屬納米顆粒摻雜的載流子傳輸層進行退火處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述退火處理在空氣或惰性氣體中進行，溫度為150-800℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述貴金屬為金、銀或鉑。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述載流子傳輸層材料為ZnO、TiO₂、NiO、WO₃、MoO₃或V₂O₅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述載流子傳輸層為空穴傳輸層或電子傳輸層。