[發明專利]半導體器件的處理裝置和形成半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201711044112.7
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108122811B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 莊孟哲;官琬純;邱意為;翁子展
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

諸如蝕刻腔室門之類的腔室門可以在蝕刻工藝期間被加熱，以例如防止蝕刻副產物粘附至蝕刻腔室門。然而，蝕刻腔室門的這種加熱可能影響工藝參數并導致不均勻工藝，諸如整個半導體晶圓的不均勻蝕刻特性。諸如覆蓋受到加熱的門的表面的絕緣膜的絕緣體可以減少或消除熱從門至諸如半導體晶圓的工件的傳輸，因此這減少或消除了工藝結果的不均勻性。本發明的實施例提供了一種半導體裝置以及形成該裝置的方法。

技術領域

本發明涉及半導體領域，更具體地，本發明涉及一種半導體器件的處理裝置和形成半導體器件的方法。

背景技術

隨著利用受到越來越嚴格的臨界尺寸控制和均勻性要求的越來越小的器件幾何形狀來制造半導體器件，需要改進的工藝和制造設備來生產具有可接受性能水平和產量水平的先進的裝置。

發明內容

根據本發明的一個方面，提供了一種裝置，包括：腔室，由腔室壁限定；晶圓保持臺，位于所述腔室內；門，位于所述腔室壁中，所述門被配置為提供至所述腔室的通路；加熱器，熱耦合至所述門并且被配置為將所述門加熱至預定溫度；以及隔熱罩，鄰近所述門，所述隔熱罩被配置為減少從所述門至所述晶圓保持臺的熱傳輸。

根據本發明的另一個方面，提供了一種裝置，包括：蝕刻腔室、熱處理腔室和真空/大氣開關腔室；第一平臺，位于所述蝕刻腔室中，第二平臺，位于所述熱處理腔室中以及第三平臺，位于所述真空/大氣開關腔室中；第一閘門，位于所述蝕刻腔室與所述熱處理腔室之間的第一公共腔室壁中，所述第一閘門具有面向所述蝕刻腔室的第一面和面向所述熱處理腔室的第二面；第二閘門，位于所述熱處理腔室與所述真空/大氣開關腔室之間的第二公共腔室壁中，所述第二閘門具有面向所述熱處理腔室的第三面和面向所述真空/大氣開關腔室的第四面；以及閘門隔熱器，形成在選自由所述第一面、所述第二面、所述第三面和所述第四面組成的組中的至少一個面上。

根據本發明的又一個方面，提供了一種方法，包括：在襯底上形成具有第一空間密度并且通過絕緣層彼此絕緣的第一多個鰭；在所述襯底上形成具有第二空間密度的第二多個鰭，所述第二空間密度小于所述第一空間密度，所述第二多個鰭分別通過所述絕緣層彼此絕緣；通過使所述襯底穿過腔室門而將包含所述第一多個鰭和所述第二多個鰭的所述襯底放置到腔室中；關閉所述腔室門；加熱所述腔室門，同時使所述襯底與所述加熱絕緣；將蝕刻劑氣體引入到所述腔室中；以及使用所述蝕刻劑氣體來蝕刻所述絕緣層。

附圖說明

當與附圖一起閱讀時，從下面的詳細描述可以最好地理解本發明的各個方面。應該強調的是，根據工業中的標準實踐，各個部件沒有被按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以被任意增加或減少。

圖1示出了根據一些實施例的示例性多腔室工藝裝置。

圖2更詳細地示出了根據一些實施例的用于工藝裝置的示例性腔室。

圖3示出了根據一些實施例的在兩個面上具有隔熱罩的示例性腔室門。

圖4a至圖4e提供了根據一些實施例的示例性腔室門的進一步細節。

圖5a至圖5c提供了根據一些實施例的可選示例性腔室門的進一步細節。

圖6和圖7分別示出了圍繞第一多個半導體結構和第二多個半導體結構的絕緣材料的預蝕刻條件和后蝕刻條件，所述結構進一步示出了使用本文中所示的實施例的工藝處理裝置實施工藝的有益效果。

具體實施方式