[發明專利]半導體器件的處理裝置和形成半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201711044112.7
• 申請日: 2017-10-31
• 公開（公告）號: CN108122811B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發明（設計）人: 莊孟哲;官琬純;邱意為;翁子展
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件的處理裝置，包括：

腔室，由腔室壁限定；

晶圓保持臺，位于所述腔室內；

門，位于所述腔室壁中，所述門被配置為提供至所述腔室的通路；

加熱器，熱耦合至所述門并且被配置為將所述門加熱至預定溫度；以及

隔熱罩，鄰近所述門，所述隔熱罩被配置為減少從所述門至所述晶圓保持臺的熱傳輸，其中，所述隔熱罩包括熱絕緣膜和將所述熱絕緣膜固定到所述門的剛性板，所述熱絕緣膜設置在所述門和所述剛性板之間，其中所述剛性板具有第一表面和第二表面，所述第一表面接觸所述熱絕緣膜，所述第二表面暴露于所述腔室并且沒有所述熱絕緣膜，

所述門包括主體結構、附接區域和鉸鏈，所述附接區域連接至所述腔室壁，所述主體結構通過所述鉸鏈連接至所述附接區域，所述鉸鏈允許所述主體結構圍繞所述附接區域旋轉，加熱器設置在所述門的附接區域中，

所述加熱器通過將來自加熱器的熱傳導經過鉸鏈直至所述主體結構，從而向所述門提供熱，

其中，所述門的主體結構具有面向所述腔室的第一面和背離所述腔室的第二面，其中，所述門的所述主體結構的所述第一面具有中心部分和外周，所述外周圍繞所述中心部分，其中，所述隔熱罩覆蓋所述中心部分，并且其中，所述隔熱罩沒有覆蓋所述腔室壁、所述附接區域、和所述外周。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的處理裝置，其中，所述門包括鋁。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的處理裝置，其中，所述剛性板和所述門具有發射率為0.02至0.1的材料。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的處理裝置，其中，所述門和與所述門相鄰的所述隔熱罩是一體的單元。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的處理裝置，其中，所述裝置還包括由第二腔室壁限定的第二腔室，第二晶圓保持臺位于所述第二腔室內，并且，所述門提供從所述腔室至所述第二腔室的通路。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的處理裝置，其中，所述腔室是蝕刻腔室，并且所述第二腔室是熱處理腔室。

7.根據權利要求5所述的半導體器件的處理裝置，還包括：第三腔室，所述第三腔室具有第三晶圓保持臺和第二門，其中，所述第二門提供從所述第二腔室至所述第三腔室的通路。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的處理裝置，還包括：

第二加熱器，熱耦合至所述第二門并且被配置為將所述第二門加熱至第二預定溫度；以及

第二隔熱罩，鄰近所述第二門，所述第二隔熱罩被配置為減少從所述第二門至所述第三晶圓保持臺的熱傳輸。