[發明專利]顯示背板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201711043454.7 | 申請日: | 2017-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN107785404B | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發明(設計)人: | 宋振;王國英 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 趙天月 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 背板 及其 制作方法 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示背板,其特征在于,包括:
基板;
薄膜晶體管,所述薄膜晶體管設置在所述基板的一側,且包括有源層、柵極和源漏電極層;
像素電容結構,所述像素電容結構設置在所述薄膜晶體管遠離所述基板的一側,且包括層疊設置的第一電極、鈍化層、第二電極和第二平坦化層,其中,所述第一電極設置在靠近所述基板的一側,所述第一電極與所述源漏電極層同層設置,且所述第二電極分為三個區域,第一區域為所述第二電極在所述基板的正投影與所述第一電極在所述基板的正投影重合的區域,第二區域與所述源漏電極層的源極接觸,而第三區域為所述第二電極的所述第一區域、所述第二區域以外的區域,所述第二平坦化層設置在所述鈍化層和所述第三區域之間;
OLED器件,所述OLED器件設置在所述像素電容結構遠離所述基板的一側,且所述OLED器件為頂發射;
其中,所述像素電容結構在所述基板上的正投影覆蓋至少一部分的所述有源層、柵極和源漏電極層在所述基板上的正投影;
所述第二電極與所述源極電連接,并且,所述第二電極為所述OLED器件的陽極,
所述第一電極在所述基板上的正投影覆蓋至少一部分的所述有源層、柵極在所述基板上的正投影。
2.根據權利要求1所述的顯示背板,其特征在于,進一步包括:
第一平坦化層,所述第一平坦化層設置在所述薄膜晶體管和所述第一電極之間。
3.根據權利要求1所述的顯示背板,其特征在于,所述鈍化層的厚度為2500-3000埃。
4.一種制作顯示背板的方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板的一側,形成薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括有源層、柵極和源漏電極層;
在所述薄膜晶體管遠離所述基板的一側,形成像素電容結構,且所述像素電容結構在所述基板上的正投影覆蓋至少一部分的所述薄膜晶體管在所述基板上的正投影;
其中,所述形成像素電容結構的步驟包括:
在第一平坦化層遠離所述基板的一側,形成第一電極,且所述第一電極與所述薄膜晶體管的源漏電極層是通過一次構圖工藝形成的,所述第一電極在所述基板上的正投影覆蓋部分的所述有源層、柵極在所述基板上的正投影;
在所述第一電極遠離所述基板的一側,形成鈍化層;
在所述鈍化層遠離所述基板的一側,形成第二電極,所述第二電極分為三個區域,其中,第一區域為所述第二電極在所述基板的正投影與所述第一電極在所述基板的正投影的重合區域,第二區域與所述源漏電極的源極接觸,而第三區域為所述第二電極的所述第一區域、第二區域以外的區域;
在所述形成第二電極的步驟之前,在所述鈍化層遠離所述基板一側的第三區域,形成第二鈍化層。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,所述像素電容結構在所述基板上的正投影覆蓋部分的所述有源層、所述柵極和所述源漏電極層在所述基板上的正投影。
6.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,在所述形成像素電容結構的步驟之前,所述方法進一步包括:
在所述薄膜晶體管遠離所述基板的一側,形成第一平坦化層。
7.一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求1-3任一項所述的顯示背板。
8.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求7所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





