[發(fā)明專利]一種用于電磁故障注入的納秒級(jí)電磁脈沖發(fā)生器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711041567.3
• 申請(qǐng)日: 2017-10-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107818218A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁果;劉強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所12201
• 代理人: 劉子文

1.一種用于電磁故障注入的納秒級(jí)電磁脈沖發(fā)生器，其特征在于，包括直流電源、信號(hào)發(fā)生器、Marx發(fā)生器、MOSFET驅(qū)動(dòng)電路和電磁探頭，

所述直流電源與所述MOSFET驅(qū)動(dòng)電路、Marx發(fā)生器分別連接，為所述MOSFET驅(qū)動(dòng)電路和所述Marx發(fā)生器提供電源；

所述MOSFET驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置有MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片、瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)、保護(hù)電阻(R1)和柵極驅(qū)動(dòng)電阻(Rg)；所述MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片的輸入端與所述信號(hào)發(fā)生器的輸出端連接，所述MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片的輸出端與所述柵極驅(qū)動(dòng)電阻(Rg)相連，所述瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)與所述柵極驅(qū)動(dòng)電阻(Rg)串聯(lián)，所述保護(hù)電阻(R1)與所述瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)并聯(lián)；

所述Marx發(fā)生器包括充電隔離電阻(RC)和一至四級(jí)可調(diào)Marx電路，所述的充電隔離電阻(RC)的一端與所述直流電源的輸出端相連，用于Marx電路的高壓與直流電源隔離和充電限流；所述充電隔離電阻(RC)的另一端通過(guò)導(dǎo)線與所述Marx電路的第一級(jí)電路的二極管的正極連接，每級(jí)Marx電路由MOSFET開(kāi)關(guān)、儲(chǔ)能電容和二極管組成；在每級(jí)所述的Marx電路中二極管的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)線與MOSFET開(kāi)關(guān)和儲(chǔ)能電容的并聯(lián)點(diǎn)連接；所述Marx電路通過(guò)在PCB板上的各級(jí)連接處放置跳線帽來(lái)改變電路結(jié)構(gòu)；MOSFET開(kāi)關(guān)的柵源極分別與所述MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS)并聯(lián)，用以避免MOSFET開(kāi)關(guān)柵源極過(guò)電壓導(dǎo)致器件損壞。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種用于電磁故障注入的納秒級(jí)電磁脈沖發(fā)生器，其特征在于，所述電磁探頭包括線圈匝數(shù)、銅線直徑和鐵氧體磁芯直徑三個(gè)參數(shù)；通過(guò)對(duì)所述三個(gè)參數(shù)的設(shè)置得到不同類型的電磁探頭，用以產(chǎn)生不同強(qiáng)度的電磁脈沖信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種用于電磁故障注入的納秒級(jí)電磁脈沖發(fā)生器，其特征在于，所述電磁探頭所產(chǎn)生的電磁脈沖強(qiáng)度與電磁探頭上的電流變化率成正比。