[發(fā)明專利]一種利用ZnO顆粒外延生長(zhǎng)制備Zn-Sn-O超晶格納米顆粒的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201711034675.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107857294B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹寶寶;王清鋼;徐博家;譚家寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西南交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01G19/02 | 分類號(hào): | C01G19/02;C01G9/02;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 成都信博專利代理有限責(zé)任公司 51200 | 代理人: | 王沙沙 |
| 地址: | 610031 四川省成都市*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 zno 顆粒 外延 生長(zhǎng) 制備 zn sn 晶格 納米 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了一種利用ZnO顆粒外延生長(zhǎng)制備Zn?Sn?O超晶格納米顆粒的方法,包括以下步驟:步驟1:Zn?Sn?O前驅(qū)體的制備;將乙醇胺置于乙二醇甲醚溶劑中,得到有機(jī)物飽和溶液;將SnCl4·5H2O和Zn(CH3COO)2·2H2O按Sn和Zn原子比為1:1加入到有機(jī)物飽和溶液;攪拌形成凝膠,老化后得到所需Zn?Sn?O前驅(qū)體;步驟2:Zn?Sn?O超晶格納米顆粒制備;將ZnO顆粒置于乙二醇甲醚溶劑中得到ZnO顆粒溶液;超聲粉碎、抽泡后加入步驟1中制備的Zn?Sn?O前驅(qū)體,并攪拌均勻得混合溶液;將混合溶液超聲粉碎并抽泡后進(jìn)行干燥,最后進(jìn)行退火后得到目標(biāo)產(chǎn)物;本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單、環(huán)境友好、價(jià)格低廉;制備的Zn?Sn?O超晶格納米顆粒粒度分布均勻、純度高、分散性好、結(jié)晶完整、易于控制。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種超晶格納米顆粒的制備方法,具體涉及一種利用ZnO顆粒外延生長(zhǎng)制備Zn-Sn-O超晶格納米顆粒的方法。
背景技術(shù)
近年來(lái),由于零維超結(jié)構(gòu)納米材料具有獨(dú)特的物理、化學(xué)特性,它們?cè)谔?yáng)能電池、氣敏傳感器、3D打印以及納米器件中有很大的應(yīng)用前景,它們的制備引起了人們的廣泛關(guān)注;自超晶格誕生以來(lái),隨著化學(xué)氣相沉積法、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積等技術(shù)的發(fā)展,到目前已在實(shí)驗(yàn)室里制造出了各種各樣的超晶格材料;使用CVD法可以實(shí)現(xiàn)大多數(shù)超晶格材料的生長(zhǎng)制備,設(shè)備簡(jiǎn)單又可控制產(chǎn)物形貌與成分;但是由于粉末源產(chǎn)生的反應(yīng)物氣體濃度不穩(wěn)定,且反應(yīng)氣體流量無(wú)法定量表征,為精確調(diào)控納米材料原子層結(jié)構(gòu)帶來(lái)困難;目前,鮮有報(bào)道指出普通CVD方法可以制備出超晶格顆粒;在超晶格結(jié)構(gòu)材料的制備上,MOCVD也擁有更可控的制備優(yōu)勢(shì);相比于一般CVD方法得到的超晶格納米材料,MOCVD系統(tǒng)內(nèi)的反應(yīng)精確可控;因此可以制備出成分更均勻,超晶格樣品含量更高的材料;同時(shí)MOCVD可利用設(shè)備的精確控溫優(yōu)勢(shì),通過(guò)改變反應(yīng)溫度來(lái)調(diào)制超晶格材料,實(shí)現(xiàn)了一般CVD系統(tǒng)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的樣品制備;但是使用MOCVD制備零維超晶格納米材料的過(guò)程中存在以下問(wèn)題:設(shè)備昂貴、維護(hù)費(fèi)用高、生長(zhǎng)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)、不易大規(guī)模生產(chǎn);反應(yīng)源與產(chǎn)物均有毒,易燃易爆;源材料的制備、儲(chǔ)存、運(yùn)輸較為困難,而各種MO源獲得較為困難。
目前現(xiàn)有的制備零維金屬氧化物材料的方法還有水熱法,操作簡(jiǎn)單易行,合成條件要求不高、原材料成本低廉、便于進(jìn)行規(guī)模較大的生產(chǎn),生產(chǎn)過(guò)程較為環(huán)保;是通過(guò)水熱法可合成低維的ZnO/SnO2核殼結(jié)構(gòu)、ZnO/SnO2異質(zhì)結(jié)構(gòu)等;但是使用水熱法制備低維復(fù)合納米材料也依然存在一定的問(wèn)題;反應(yīng)周期長(zhǎng)、條件不易控制;水熱法有高溫高壓步驟,使其對(duì)生產(chǎn)設(shè)備的依賴性比較強(qiáng);通過(guò)水熱法合成的產(chǎn)物結(jié)晶性不好,很難合成零維超晶格納米顆粒材料。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種操作簡(jiǎn)單、環(huán)境友好、價(jià)格廉價(jià)地利用ZnO顆粒外延生長(zhǎng)制備Zn-Sn-O超晶格納米顆粒的方法。
本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種利用ZnO顆粒外延生長(zhǎng)制備Zn-Sn-O超晶格納米顆粒的方法,包括以下步驟:
步驟1:Zn-Sn-O前驅(qū)體的制備
將乙醇胺置于乙二醇甲醚溶劑中,得到乙醇胺-乙二醇甲醚混合溶液;
將SnCl4·5H2O和Zn(CH3COO)2·2H2O按Sn和Zn原子比為1:1加入到有機(jī)物飽和溶液;
在70℃條件下攪拌一定時(shí)間,形成凝膠,室溫條件下老化后得到所需Zn-Sn-O前驅(qū)體;
步驟2:Zn-Sn-O超晶格納米顆粒制備
將ZnO顆粒置于乙二醇甲醚溶劑中,并攪拌均勻得到ZnO顆粒溶液;
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