[發明專利]一種基于拉丁方矩陣構造的低冗余矩陣碼對存儲器進行加固方法

有效

• 申請號: 201711034005.6
• 申請日: 2017-10-30
• 公開（公告）號: CN107680629B
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 郭靖;朱磊;劉文怡;熊繼軍
• 申請（專利權）人: 中北大學;齊齊哈爾大學
• 主分類號: G11C7/24
• 分類號: G11C7/24;G11C8/10
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 岳泉清

1.一種基于拉丁方矩陣構造的低冗余矩陣碼對存儲器進行加固方法，所述基于拉丁方矩陣構造的低冗余矩陣碼為錯誤糾錯碼；

該方法包括如下：

步驟一：對于一個i位信息位，將其排列成一個m×n的矩陣；

i位信息位依次為M₁M₂M₃......M_i-2M_i-1M_i；

其中，m≠4，m為行數，n為列數，i為大于或等于8的整數；

步驟二：構建n位拉丁方矩陣，根據n位拉丁方矩陣對i位信息位進行編碼操作，獲得的2n位冗余位；所述n位拉丁方矩陣為n×n的矩陣；

2n位冗余位包括n位水平冗余位和n位垂直冗余位；

n位水平冗余位依次為H₁H₂H₃......H_n-2H_n-1H_n；

n位垂直冗余位依次為V₁V₂V₃......V_n-2V_n-1V_n；

步驟三：對讀出的2n位冗余位和讀出的i位數據位進行譯碼操作，獲得2n位校正子，且2n位校正子包括n位水平校正子和n位垂直校正子；所述讀出的i位數據為通過對i位信息位進行讀取獲得；讀出的2n位冗余位為通過對n位水平冗余位和n位垂直冗余位進行讀取獲得；

n位水平校正子依次為SH₁SH₂SH₃......SH_n-1SH_n；

n位垂直校正子為依次為SV₁SV₂SV₃......SV_n-1SV_n；

讀出的i位數據位依次為M′₁M′₂M′₃......M′_i-2M′_i-1M′_i；

讀出的n位水平冗余位為H'₁H'₂H'₃......H'_n-2H'_n-1H'_n；

讀出的n位垂直冗余位為V'₁V'₂V'₃......V'_n-2V'_n-1V'_n；

步驟四：n位水平校正子和n位垂直校正子均作為低冗余矩陣碼；

當n位水平校正子和n位垂直校正子中的所有位均為‘0’時，則判定讀出的i位數據位未發生錯誤；

當n位水平校正子和n位垂直校正子中任何一位出現‘1’時，則判定讀出的i位數據位發生錯誤，且讀出的i位數據位中發生錯誤的相應數據位的編號與出現‘1’時所對應的校正子編號相同；然后，對讀出的i位數據位中發生錯誤的相應數據位進行按位取反，從而實現了對讀出的錯誤數據位進行糾偏，進一步實現了對存儲器進行加固；

其特征在于，所述步驟二中，構建n位拉丁方矩陣，根據n位拉丁方矩陣對i位信息位進行編碼操作，獲得的2n位冗余位的具體過程為：

步驟二一：根據m×n的矩陣構造相應的n位拉丁方矩陣，且由上至下取n位拉丁方矩陣中m行、n列的矩陣，并將取的m×n的矩陣m×n的信息位與i位信息位構造的m×n的矩陣的信息位相對應；

步驟二二：按照n位拉丁方矩陣中的m×n的矩陣的計算方式，依次對i位信息位構造的m×n的矩陣中所有行的相應信息位進行異或處理，依次獲得相應的水平冗余位，從而獲得n位水平冗余位；

步驟二三：按照n位拉丁方矩陣中的m×n的矩陣的計算方式，依次對i位信息位構造的m×n的矩陣中每一列的所有信息位進行異或處理，依次獲得相應的垂直冗余位，從而獲得n位垂直冗余位。