[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其工作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711025955.2
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN108109657A
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梅澤裕介
• 申請（專利權(quán)）人: 東芝存儲器株式會社
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/24
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

第1存儲單元；

第2存儲單元；

第1字線，與上述第1存儲單元的第1柵電極以及上述第2存儲單元的第2柵電極連接；

第1位線，與上述第1存儲單元的溝道的一端電連接；

第2位線，與上述第2存儲單元的溝道的一端電連接；

源極線，與上述第1存儲單元以及上述第2存儲單元的溝道的各自的另一端電連接；

行控制電路，向上述第1字線供給電壓；以及

列控制電路，向上述第1位線、上述第2位線、及上述源極線供給電壓，

在將上述第1存儲單元以及上述第2存儲單元的數(shù)據(jù)刪除后，

使上述第1柵電極與上述第1存儲單元的溝道之間的第1電壓，不同于上述第2柵電極與上述第2存儲單元的溝道之間的第2電壓，并且使上述第1存儲單元以及上述第2存儲單元的閾值電壓偏移。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述閾值電壓在刪除狀態(tài)的閾值電壓范圍內(nèi)偏移。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述第1存儲單元包含形成于上述第1字線、沿第1方向延伸并包含上述第1存儲單元的電流通路的第1柱狀部，

上述第2存儲單元包含形成于上述第1字線、沿上述第1方向延伸并包含上述第2存儲單元的電流通路的第2柱狀部，

上述第1存儲單元的包含與上述第1方向交叉的第2方向的面上的截面的面積，比上述第2存儲單元的包含上述第2方向的面上的截面的面積小，

上述第1電壓具有比上述第2電壓低的值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還具備：

第3存儲單元，將溝道以串聯(lián)的方式連接于上述第1存儲單元，并層疊地形成于上述第1存儲單元；以及

第2字線，與上述第3存儲單元的第3柵電極電連接，

在將上述第1存儲單元～第3存儲單元的數(shù)據(jù)刪除之后，

使上述第3柵電極與上述第3存儲單元的溝道之間的第3電壓與上述第1電壓不同，使上述第3存儲單元的閾值電壓偏移。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

在上述第3存儲單元層疊于上述第1存儲單元的上層的情況下，

上述第3電壓具有比上述第1電壓高的值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還具備：

第4存儲單元，具有與上述第1字線連接的第4柵電極；

第5存儲單元，具有與上述第1字線連接的第5柵電極；

第3位線，與上述第4存儲單元的溝道的一端電連接；以及

第4位線，與上述第5存儲單元的溝道的一端電連接，

將上述第1存儲單元、第2存儲單元、第4存儲單元以及第5存儲單元的數(shù)據(jù)刪除之后，

使上述第4柵電極與上述第4存儲單元的溝道之間的第4電壓、以及上述第5柵電極與上述第5存儲單元的溝道之間的第5電壓中的至少一個電壓與上述第1電壓不同，使上述第4存儲單元以及第5存儲單元的閾值電壓偏移。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

基于上述第1存儲單元、第2存儲單元、第4存儲單元以及第5存儲單元的寫入速度以及刪除速度，設(shè)定上述第1電壓、第2電壓、第4電壓以及第5電壓的值。