[發明專利]一種基于NVDIMM?F的存儲方法及系統

在審

• 申請號: 201711025822.5
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107861901A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 張政;孟瑤
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: G06F13/40
• 分類號: G06F13/40;G06F3/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 羅滿

技術領域

本發明涉及存儲技術領域，特別是涉及一種基于NVDIMM-F的存儲方法及系統。

背景技術

在大數據時代，海量數據傳輸需要占用超大的帶寬，對于數據存盤和數據讀取的速率提升都有強烈的需求。

現有技術中，存儲服務器的CPU在接收到上游服務器發送的待存儲數據時，通常要通過PCIe總線將待存儲數據下傳到固態硬盤SSD等存儲介質中，在這中間可能還會經過內存等待存儲數據的暫存處。但是這種存儲方法已經逐漸不能滿足用戶對數據存盤和數據讀取速率的需求了。

因此，如何提高數據存儲時數據傳輸的速率，是本領域技術人員需要解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種基于NVDIMM-F的存儲方法及系統，用于提高數據存儲時數據傳輸的速率，降低傳輸延遲。

為解決上述技術問題，本發明提供一種基于NVDIMM-F的存儲方法，包括：

CPU在接收到待存儲數據時，將所述待存儲數據發送至所述NVDIMM-F；

所述NVDIMM-F保存所述待存儲數據。

可選地，所述CPU將所述待存儲數據發送至所述NVDIMM-F具體為：

所述CPU通過DDR4總線和與所述DDR4總線連接的DIMM插槽將所述待存儲數據發送至所述NVDIMM-F。

可選地，還包括：

當所述CPU接收到所述NVDIMM-F的熱插拔信號時，啟動對應的熱插拔處理機制。

可選地，所述CPU接收到所述NVDIMM-F的熱插拔信號具體為：

所述CPU接收到熱插拔指令接收器發出的所述NVDIMM-F的熱插拔信號。

可選地，所述CPU接收到所述NVDIMM-F的熱插拔信號具體為：

所述CPU接收到所述DIMM插槽的熱插拔檢測器發出的所述NVDIMM-F的熱插拔信號。

為解決上述技術問題，本發明還提供一種基于NVDIMM-F的存儲系統，包括：用于接收并處理待存儲數據的CPU，與所述CPU連接的用于存儲所述待存儲數據的NVDIMM-F。

可選地，所述NVDIMM-F通過DDR4總線和與所述DDR4總線連接的DIMM插槽與所述CPU連接。

可選地，還包括用于連接所述DDR4總線與所述DIMM插槽的，向所述CPU傳送熱插拔信號的外圍電路；

相應的，所述CPU還用于在接收到所述熱插拔信號后啟動對應的熱插拔處理機制。

可選地，還包括與所述外圍電路連接的用于在接收到用戶的熱插拔指令后將熱插拔信號發送至所述CPU的熱插拔指令接收器。

可選地，所述DIMM插槽還包括用于檢測所述NVDIMM-F的連接情況并在所述NVDIMM-F的連接情況發生變化時向所述CPU發出熱插拔信號的熱插拔檢測器。

本發明所提供的基于NVDIMM-F的存儲方法，包括：CPU在接收到待存儲數據時，將待存儲數據發送至NVDIMM-F；NVDIMM-F保存待存儲數據。本發明提供的方法通過將待存儲數據直接存儲在NVDIMM-F，大大提升了待存儲數據傳輸的速率。NVDIMM-F具有映射到內存地址空間的固態大容量內存NAND Flash，直接將數據存儲在NVDIMM-F中，相對于通過PCIe總線將待存儲數據下傳到固態硬盤SSD等存儲介質中速率會提升許多。本發明所提供的基于NVDIMM-F的存儲方法系統，具有上述有益效果，在此不再贅述。

附圖說明

為了更清楚的說明本發明實施例或現有技術的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種基于NVDIMM-F的存儲方法的流程圖；

圖2為本發明實施例提供的另一種基于NVDIMM-F的存儲方法的流程圖；

圖3為本發明實施例提供的一種基于NVDIMM-F的存儲系統的示意圖。

具體實施方式

本發明的核心是提供一種基于NVDIMM-F的存儲方法，用于提高數據存儲時數據傳輸的速率，降低傳輸延遲。