[發(fā)明專利]集成式功率開關(guān)器件和電子設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711023522.3 | 申請日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN108809284B | 公開（公告）日： | 2022-02-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱永生;裴軼 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州捷芯威半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/567 | 分類號： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐維虎 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市工業(yè)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成 功率 開關(guān) 器件 電子設(shè)備 | ||
1.一種集成式功率開關(guān)器件，其特征在于，包括半導(dǎo)體功率開關(guān)管、半導(dǎo)體功率二極管、高電位引腳和低電位引腳；其中：
所述半導(dǎo)體功率開關(guān)管包括高電位端、低電位端和控制端；
所述半導(dǎo)體功率二極管包括陽極和陰極；
所述半導(dǎo)體功率開關(guān)管的高電位端與所述高電位引腳、所述半導(dǎo)體功率二極管的陽極連接，低電位端與所述半導(dǎo)體功率二極管的陰極、所述低電位引腳連接，所述控制端與所述高電位端連接；所述半導(dǎo)體功率開關(guān)管的導(dǎo)通閾值電壓高于所述半導(dǎo)體功率二極管的導(dǎo)通電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式功率開關(guān)器件，其特征在于，所述集成式功率開關(guān)器件包括殼體，所述半導(dǎo)體功率開關(guān)管以及半導(dǎo)體功率二極管封裝集成于所述殼體內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成式功率開關(guān)器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率開關(guān)管以及半導(dǎo)體功率二極管分別集成于所述殼體內(nèi)封裝的不同的芯片，各所述芯片封裝于所述殼體。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成式功率開關(guān)器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率開關(guān)管以及半導(dǎo)體功率二極管集成于同一芯片，所述芯片封裝于所述殼體內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的集成式功率開關(guān)器件，其特征在于，所述芯片為氮化鎵芯片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式功率開關(guān)器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率開關(guān)管為氮化鎵晶體管、碳化硅晶體管中的一種，且半導(dǎo)體功率開關(guān)管內(nèi)部不存在寄生體二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的集成式功率開關(guān)器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率開關(guān)管為增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成式功率開關(guān)器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體功率二極管為硅二極管、氮化鎵二極管或碳化硅二極管中的一種。
9.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括驅(qū)動單元、受控單元以及上述權(quán)利要求1-8任意一項所述的集成式功率開關(guān)器件，所述驅(qū)動單元的輸出端與所述集成式功率開關(guān)器件的高電位引腳連接，所述集成式功率開關(guān)器件的低電位引腳與所述受控單元的輸入端連接，所述驅(qū)動單元輸出驅(qū)動信號控制所述集成式功率開關(guān)器件導(dǎo)通或關(guān)斷，以對所述受控單元進行控制。
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