[發明專利]一種降低姬菇王畸形率的艾渣培養基及其栽培方法

有效

• 申請號: 201711022642.1
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107996286B
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 康冀川;雷幫星;文庭池;錢一鑫
• 申請（專利權）人: 貴州大學
• 主分類號: A01G18/20
• 分類號: A01G18/20;A01G18/66;A01G18/00
• 代理公司: 貴州派騰知識產權代理有限公司 52114
• 代理人: 谷慶紅

1.一種降低姬菇王畸形率的栽培方法，其特征在于，步驟如下：

A、菌種活化：

將姬菇王菌種轉接于PDA斜面培養基上，25℃培養10～15天，使菌種活力恢復；

B、生產種培養基和生產種的制備：

將玉米、麥麩、蔗糖和石膏粉加水后混勻，裝于玻璃瓶或聚丙烯菌袋內，壓緊，包扎，121℃高壓滅菌45～60分鐘，即得生產種培養基；

生產種培養基冷卻后，無菌操作下接入斜面菌種，封口，于18～25℃培養7～10天，待菌絲長滿、長透培養基后即得生產種；

C、接種：

將1cm³的生產種在無菌操作下，接入艾渣培養基菌包，蓋上報紙，包扎袋口；當培養5～7天后要用針在原來兩頭接種處刺微孔，一頭8～10下，增氧透氣，并注意不斷檢查袋間溫度變化，不要超過30℃，4～5天慢慢翻動一次，20～25天，養菌結束；

D、發菌、出菇

將步驟C所得接種后的菌包放于培養室內，疊放 5～7層，22℃下進行培養；在姬菇王菌絲生長階段要求培養基中的含水量為58～63%，溫度范圍18～25℃，空氣相對濕度在65%～70%，黑暗時培養；在子實體生長發育階段，溫度范圍8～20℃，空氣相對濕度應控制在88%～93%，每天進行8小時的光照培養；待菌絲體長滿菌袋時，去掉姬菇王的封口報紙，對姬菇王的菌袋進行開孔；

所述步驟B中的生產種培養基組分以質量比計為玉米85～95%、麥麩8～12%、蔗糖0.8～1.2%、石膏粉0.4～0.6%；

所述步驟C中的艾渣培養基由以下重量份原料制成：棉籽殼35～48份、艾渣40～70份、麥麩10～20份、石膏粉0.5～1.5份、石灰粉0.5～1.5份、蔗糖0.5～1.5份；

所述步驟C中艾渣培養基的制備方法步驟如下：

（1）艾渣的處理：取藥廠或藥農提取艾片后的艾納香殘渣，曬干，撒其質量為0.22～0.5%的石灰粉，堆放在通風干燥的環境中5～12天，再粉碎成粒徑2～3mm的顆粒，備用；

（2）配料：按處方重量份稱取各基質原料，加水攪拌均勻；

（3）裝料：將混勻的培養基裝于聚丙烯菌袋內，裝料，壓緊，包扎；

（4）滅菌：菌包加熱滅菌；

（5）放涼：將滅菌后的菌包放涼，即得艾渣培養基菌包。

2.如權利要求1所述的降低姬菇王畸形率的栽培方法，其特征在于，艾渣培養基含有以下重量份原料：棉籽殼42份、艾渣43份、麥麩15份、石膏粉1份、石灰粉1份、蔗糖1份。

3.如權利要求1所述的降低姬菇王畸形率的栽培方法，其特征在于，步驟D中所述的姬菇王菌絲生長溫度為22℃、空氣相對濕度為68%、培養基中的含水量為60%。

4.如權利要求1所述的降低姬菇王畸形率的栽培方法，其特征在于，步驟D中所述的姬菇王子實體生長溫度為15℃、空氣相對濕度應控制在90%。