[發(fā)明專利]一種基于VO2@ZnO的丙酮氣敏傳感器的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711020657.4 | 申請日: | 2017-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN107941858A | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梁繼然;楊然;周立偉;趙一瑞;郭津榜 | 申請(專利權(quán))人: | 天津大學 |
| 主分類號: | G01N27/12 | 分類號: | G01N27/12;B82Y15/00 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所12201 | 代理人: | 宋潔瑾 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 vo2 zno 丙酮 傳感器 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導體技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種基于VO2@ZnO復合結(jié)構(gòu)的室溫丙酮氣敏傳感器的制備方法。
背景技術(shù)
丙酮是一種良好的有機溶劑,廣泛用于工業(yè)生產(chǎn)以及實驗室研究。但是丙酮化學性質(zhì)活潑,在常溫下極易揮發(fā),丙酮蒸汽無色并且高度易燃。高濃度的丙酮氣體(>10000ppm)對人的眼、鼻、喉有刺激性,大量吸入甚至會造成乏力、惡心、頭痛、頭暈等中毒癥狀。另外,丙酮的閃點只有-20℃,沸點只有56.05℃,丙酮氣體能與空氣形成爆炸性混合物,其爆炸濃度極限為2.5%~12.8%。當空氣中丙酮的濃度處在爆炸極限范圍內(nèi)時,即使遇到小火花也能造成威力巨大的爆炸事故。因此發(fā)展能夠準確、快速探測丙酮氣體的高性能傳感器具有重大意義。
金屬氧化物半導體型氣敏傳感器具有低成本,高靈敏度,易于控制與操作等優(yōu)點,因而受到越來越廣泛的關(guān)注。人們所熟知的傳統(tǒng)的金屬氧化物半導體氣敏材料,諸如ZnO,被報道是良好的丙酮敏感材料。尤其像納米棒和納米線此類的一維納米結(jié)構(gòu),具有較高的比表面積,而且易于進行表面修飾,所以近年來引發(fā)了國內(nèi)外學者的廣泛的研究興趣。一維ZnO基納米結(jié)構(gòu)雖然能夠達到快速、高效檢測丙酮氣體,但卻具有最佳工作溫度高(大約200-400℃)的缺點。這給低功耗氣敏傳感器的發(fā)展帶來了巨大的挑戰(zhàn)。VO2是一種過渡金屬氧化物,最近的研究結(jié)果顯示其在室溫探測有害氣體方面具有很大的潛力。其中,2015年,Dey等人報道了一維VO2(B)納米棒室溫下對液化石油氣的敏感性能。而復合結(jié)構(gòu)往往因為異質(zhì)結(jié)的作用而產(chǎn)生奇異的性能,所以經(jīng)常用于改善氣敏傳感器的氣敏特性。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明提供一種基于VO2@ZnO復合結(jié)構(gòu)的室溫丙酮氣敏傳感器的制備方法,克服傳統(tǒng)金屬氧化物半導體氣敏傳感器用于丙酮檢測時工作溫度高的問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種基于VO2@ZnO的丙酮氣敏傳感器的制備方法,包括以下步驟:
(1)VO2納米棒的制備:
以V2O5粉末和草酸二水合物粉末為反應前驅(qū)物,稱取草酸二水合物粉末,攪拌溶解在去離子水中配成無色透明溶液;稱取V2O5粉末加入到上述溶液中繼續(xù)攪拌,直到形成綠色透明溶液;將得到的溶液轉(zhuǎn)移到聚四氟乙烯內(nèi)襯中,裝到反應釜外殼中,將反應釜放置于干燥箱中,設(shè)置180℃反應24-36h;待反應結(jié)束后,自然冷卻到室溫,用離心機分離出黑色沉淀產(chǎn)物,分別用去離子水和無水乙醇清洗數(shù)次;
(2)ZnO納米種子表面吸附的VO2納米棒的制備:
取潔凈的燒瓶,水浴條件下在燒瓶內(nèi)配制適量濃度為0.01M的二水乙酸鋅的甲醇溶液,劇烈攪拌伴隨整個過程;在燒杯內(nèi)配制0.03M氫氧化鉀的甲醇溶液,并將此溶液逐滴滴入到二水乙酸鋅的甲醇溶液中;混合液在60℃下持續(xù)攪拌2小時得到ZnO納米種子溶液;將步驟(1)中制得的VO2納米棒分散到得到的ZnO種子液中,室溫下攪拌40min-60min;分離出VO2納米棒,并用去離子水清洗,用去離子水定容待用;
(3)表面殼層ZnO納米棒的生長:
將步驟(2)中得到的適量吸附ZnO種子的VO2納米棒的水溶液加入到二水乙酸鋅和六次甲基四胺摩爾比為1:2的溶液中,在90℃油浴下反應2-6h;反應結(jié)束后將產(chǎn)物分離出并清洗;
(4)涂片:
將所得到的粉末狀產(chǎn)物與少量去離子水混合調(diào)成糊狀,涂敷在印有叉指金電極的陶瓷片上,形成一層敏感材料膜;之后置于烘箱內(nèi)烘干,即可得到基于VO2@ZnO復合結(jié)構(gòu)的氣敏傳感器。
所述步驟(1)V2O5粉末和草酸二水合物粉末摩爾比為1:1~3,二者均為分析純級別,未進行后續(xù)提純處理。
所述步驟(2)0.01M的二水乙酸鋅的甲醇溶液和0.03M氫氧化鉀的甲醇溶液體積比為5:2~3。
本發(fā)明的有益效果為:
1)本發(fā)明中所運用的制備工藝要求低,設(shè)備簡單、易操作,制作工藝成本低,制備的步驟相對獨立,適合用于大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天津大學,未經(jīng)天津大學許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201711020657.4/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種傳感器芯片及其制備方法
- 下一篇:氣體傳感器及其制備方法
- 在硅片上復合VO<sub>2</sub>片狀和多孔納米結(jié)構(gòu)的相變材料及其制備方法
- 在硅片上復合VO<sub>2</sub>納米花結(jié)構(gòu)的相變材料及其制備方法
- 制備單斜相二氧化釩及其摻雜納米粉的方法
- 一種二氧化釩基復合鍍膜液和復合薄膜及其制備方法和應用
- 一種在硅基底上制備高電阻變化率二氧化釩薄膜的方法
- 一種各向異性干法刻蝕VO2的方法
- 一種合成具有低相變溫度的單斜結(jié)構(gòu)VO2的方法
- 氫氣還原多釩酸銨制備VO2的方法及熱敏裝置
- 一種金屬納米線網(wǎng)和二氧化釩的復合薄膜的制備方法
- 一種利用靜電紡絲技術(shù)制備透明VO2熱色智能薄膜的方法





