[發明專利]介電組合物和包含介電組合物的多層陶瓷電容器

有效

• 申請號: 201711020500.1
• 申請日: 2017-10-27
• 公開（公告）號: CN108063051B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 金珍友;李種晧;辛敏基;金學寬;金晉模;李治和;金弘錫;金佑燮;樸昌華
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 孫麗妍;金光軍

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，包括介電層以及設置為彼此面對的第一內電極和第二內電極，且相應的介電層插設在所述第一內電極和所述第二內電極之間；以及

第一外電極和第二外電極，設置在所述陶瓷主體的外表面上，

其中，所述介電層包含具有核-殼結構的鈦酸鋇基晶粒，所述核-殼結構包括核和圍繞所述核的殼，所述殼具有鈦被具有與所述鈦酸鋇基晶粒中的所述鈦的氧化數相同的氧化數并具有與所述鈦酸鋇基晶粒中的所述鈦的離子半徑不同的離子半徑的元素部分地取代的結構，并且所述殼覆蓋所述核的表面的至少30％，

其中，所述殼由Ba(Ti_1-xM_x)O₃表示，其中，M是Sn、Zr和Hf中的至少一種，并且

其中，所述核由BaTiO₃形成并包括Sn、Zr和Hf中的至少一種，所述核中的Sn、Zr和Hf中的至少一種與所述殼中的M的含量比為1/10或更大。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，Ba與Ti的摩爾比為1.0150或更大。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述介電層中，包含所述殼在燒結之前覆蓋所述核的所述表面的至少50％的介電晶粒。

4.根據權利要求3所述的多層陶瓷電容器，其中，在所述介電層中，所述殼在燒結之前覆蓋所述核的所述表面的至少50％并在燒結之后覆蓋所述核的所述表面的至少30％的介電晶粒的數量在介電晶粒的總數的35％至85％的范圍內。

5.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述殼具有在2nm至50nm的范圍內的厚度。

6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述核由BaTiO₃形成并包括Sn、Zr和Hf中的至少一種，所述核中的Sn、Zr和Hf中的至少一種與所述殼中的M的含量比在燒結之前為1/5或更大，在燒結之后為1/10或更大。

7.一種介電組合物，包括：鈦酸鋇基粉末顆粒，所述鈦酸鋇基粉末顆粒具有核-殼結構，所述核-殼結構包括核和圍繞所述核的殼，其中，所述殼具有鈦被具有與鈦的氧化數相同的氧化數并具有與鈦的離子半徑不同的離子半徑的元素部分地取代的結構，并且所述殼包含Sn、Zr和Hf中的至少一種，并且其中，所述核由BaTiO₃形成并包括Sn、Zr和Hf中的至少一種，所述核中的Sn、Zr和Hf中的至少一種與所述殼中的Sn、Zr和Hf中的所述至少一種的含量比為1/5或更大。

8.根據權利要求7所述的介電組合物，其中，Sn、Zr和Hf中的至少一種涂覆或摻雜在所述核上。

9.根據權利要求7所述的介電組合物，其中，所述殼的厚度在所述鈦酸鋇基粉末顆粒的半徑的2％至30％的范圍內。

10.根據權利要求7所述的介電組合物，其中，所述殼覆蓋所述核的表面的至少50％。

11.根據權利要求7所述的介電組合物，所述介電組合物還包括：

基于100at％的所述鈦酸鋇基粉末顆粒，含量在0.2at％至2.0at％的范圍內的包含Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn中的至少一種的氧化物或碳酸鹽；

基于100at％的所述鈦酸鋇基粉末顆粒，含量在0.0at％至3.0at％內的包含鋇和鈣中的至少一種的氧化物或碳酸鹽；

基于100at％的所述鈦酸鋇基粉末顆粒，含量在0.2at％至5.0at％內的包含Si的氧化物或碳酸鹽或者包含Si的玻璃化合物；

基于100at％的所述鈦酸鋇基粉末顆粒，含量在0.0at％至4.0at％內的包含Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、La、Tb、Yb和Pr中的至少一種的氧化物或碳酸鹽；以及

基于100at％的所述鈦酸鋇基粉末顆粒，含量在0.0at％至2.0at％內的包含Mg或Al的氧化物或碳酸鹽。