[發明專利]一種提取納米MOSFET中源/漏寄生電阻的恒定遷移率方法在審
| 申請號： | 201711020207.5 | 申請日： | 2017-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN107944088A | 公開（公告）日： | 2018-04-20 |
| 發明（設計）人： | 魯明亮;馬麗娟 | 申請（專利權）人： | 魯明亮 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 蘇州中合知識產權代理事務所(普通合伙)32266 | 代理人： | 龍濤 |
| 地址： | 210019 江蘇省南京市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提取 納米 mosfet 寄生 電阻 恒定 遷移率 方法 | ||
1.一種提取納米MOSFET中源/漏寄生電阻的恒定遷移率方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)納米CMOS器件中，測量不同源漏電壓Vds條件下的閾值電壓VT、線性區漏極電流Ids；
(2)根據測量結果選取合適的外加偏壓條件，保證溝道遷移率在該條件下恒定不變；
(3)在合適的外加偏壓條件下，根據線性區漏極電流Ids模型，計算出源/漏寄生電阻R值。
2.根據權利要求1所述的提取納米MOSFET中源/漏寄生電阻的恒定遷移率方法，其特征在于，在步驟(1)中，具體參數的測量過程如下：
(11)在一個納米級CMOS器件中，將漏極電壓固定為10mV，源極接地，柵極電壓由0.5V逐漸升高到2V，每變化1mV測量一次漏極電流，得到一條Id-Vgs曲線；
(12)然后將漏極電壓固定為50mV，源極接地，柵極電壓由0.5V逐漸升高到2V，每變化1mV測量一次漏極電流，得到另一條Id-Vgs曲線；
(13)根據測量得到的兩條Id-Vgs曲線，用最大跨導處的線性外推方法得到兩個閾值電壓，分別為VT1和VT2。
3.根據權利要求2所述的提取納米MOSFET中源/漏寄生電阻的恒定遷移率方法，其特征在于，在步驟(2)中，外加偏壓條件的選取方法為：
(21)在第一條Id-Vgs曲線中，即Vds＝10mV時；選取固定的Vgs1值為1.5V，得出對應的電流Id1；
(22)當器件工作在較高的縱向電場區域，即Vgs＞＞VT時，SiO2/Si表面的有效縱向電場為：
其中，
η是一個經驗參數，一般用于電子時η＝2，用于空穴時η＝3；VFB是平帶電壓；ψB是費米能級與本征費米能級之間的電位差；TOX是氧化層厚度；
(23)對于同一個CMOS器件，VFB，ψB和TOX是定值，不隨外加偏壓條件的變化而改變；為了保持Eeff恒定不變，第二條Id-Vgs曲線，即Vds＝50mV；其曲線上的點Vgs2需滿足如下關系：
Vgs2＝Vgs1+(η-1)(VT1-VT2)其中，
η是一個經驗參數，一般用于電子時η＝2，用于空穴時η＝3；VT1和VT2分別為兩個閥值電壓。
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