[發(fā)明專利]一種坩堝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201711019265.6
• 申請(qǐng)日: 2017-10-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107541703A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何傳友;馬群;崔志明;楊婷雁;雷瑤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/24
• 分類號(hào): C23C14/24
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 劉悅晗,陳源

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及OLED(Organic Light Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種坩堝。

背景技術(shù)

在制造OLED時(shí)，利用坩堝將用于制作OLED的有機(jī)材料蒸鍍到OLED基板上，有機(jī)蒸鍍是將有機(jī)材料加熱直至汽化的過(guò)程。當(dāng)有機(jī)材料的熔點(diǎn)低于升華溫度，有機(jī)材料先轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài)后再汽化。真空蒸鍍過(guò)程中，一般選用線源坩堝盛放有機(jī)材料，坩堝外部包裹有加熱絲，該加熱絲在通電時(shí)可對(duì)坩堝進(jìn)行加熱，盛放在坩堝內(nèi)的有機(jī)材料在高溫下蒸發(fā)為氣體，氣體上升并遇到位于坩堝上方的OLED基板，在OLED基板上發(fā)生凝華，從而將有機(jī)材料蒸鍍到OLED基板上。

結(jié)合圖1a、圖1b和圖1c所示，現(xiàn)有的坩堝長(zhǎng)度較大，在坩堝內(nèi)部，沿坩堝長(zhǎng)度的方向上設(shè)置多個(gè)擋板101從而將坩堝的內(nèi)部空間劃分為多個(gè)區(qū)域，擋板具有一個(gè)凹槽102，蒸鍍材料能夠沿該凹槽102在坩堝內(nèi)部相鄰區(qū)域之間流動(dòng)。

如圖2所示，在有機(jī)蒸鍍過(guò)程中，如果將坩堝在A、B兩個(gè)腔室之間進(jìn)行快速切換，坩堝無(wú)需等待可以直接蒸鍍，可以提高生產(chǎn)效率。在A、B兩個(gè)腔室之間移動(dòng)過(guò)程中，坩堝沿其長(zhǎng)度方向移動(dòng)，會(huì)造成熔融狀態(tài)的蒸鍍材料在坩堝內(nèi)發(fā)生劇烈晃動(dòng)，使蒸鍍速率下降，導(dǎo)致蒸鍍膜厚偏薄，產(chǎn)品色度異常。

因此亟需一種坩堝以解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種坩堝，用以至少部分解決坩堝在兩個(gè)腔室之間移動(dòng)造成的內(nèi)部蒸鍍材料產(chǎn)生晃動(dòng)，影響蒸鍍速率和產(chǎn)品品質(zhì)的問(wèn)題。

本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題，采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供一種坩堝，包括坩堝本體和多個(gè)第一擋板，所述第一擋板沿所述坩堝本體的寬度方向設(shè)置，并固定在所述坩堝本體相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上，各所述第一擋板之間具有第一間隔距離，所述第一擋板上設(shè)置有多個(gè)第一鏤空部或多個(gè)第一凹槽。

進(jìn)一步的，所述坩堝還包括第二擋板，所述第二擋板沿所述坩堝本體的長(zhǎng)度方向設(shè)置，并固定在所述坩堝本體相對(duì)的設(shè)置的第三側(cè)壁和第四側(cè)壁上，所述第二擋板上設(shè)置有多個(gè)第二鏤空部或多個(gè)第二凹槽。

優(yōu)選的，所述第二擋板為多個(gè)，各所述第二擋板之間具有第二間隔距離。

優(yōu)選的，所述第一間隔距離和/或所述第二間隔距離為8-10cm。

優(yōu)選的，各所述第一鏤空部或第一凹槽設(shè)置在所述第一擋板的下部，和/或，各所述第二鏤空部或各第二凹槽設(shè)置在所述第二擋板的下部。

優(yōu)選的，所述第一擋板和所述第二擋板的高度小于所述坩堝本體的高度。

優(yōu)選的，所述第一擋板上的第一鏤空部或第一凹槽的形狀和大小，與所述第二擋板上的第二鏤空部或第二凹槽的形狀和大小相同。

優(yōu)選的，所述第一擋板上的第一鏤空部或第一凹槽呈矩形，所述第二擋板上的第二鏤空部或第二凹槽呈矩形。

優(yōu)選的，所述第一擋板上的第一鏤空部或第一凹槽的寬度為1-1.5cm，所述第一擋板上的第一鏤空部或第一凹槽的高度為2-3cm；所述第二擋板上的第二鏤空部或第二凹槽的寬度為1-1.5cm，所述第二擋板上的第二鏤空部或第二凹槽的高度為2-3cm。

優(yōu)選的，所述第一擋板的材料和/或所述第二擋板的材料包括金屬或陶瓷。

本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)以下有益效果：

本發(fā)明提供的坩堝，通過(guò)在坩堝本體內(nèi)沿其寬度方向設(shè)置多個(gè)第一擋板，各第一擋板之間間隔設(shè)置，從而將坩堝本體的內(nèi)部空間劃分為多個(gè)區(qū)域，第一擋板固定在坩堝本體相對(duì)設(shè)置的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上，第一擋板上設(shè)置多個(gè)第一鏤空部或多個(gè)第一凹槽，這樣，當(dāng)坩堝沿其長(zhǎng)度方向從一個(gè)腔室移動(dòng)到另一個(gè)腔室時(shí)，坩堝本體內(nèi)的蒸鍍材料可以通過(guò)第一擋板上的各個(gè)第一鏤空部或各個(gè)第一凹槽在坩堝本體內(nèi)的各個(gè)區(qū)域之間流動(dòng)，從而抑制蒸鍍材料晃動(dòng)，提高蒸鍍材料的穩(wěn)定性，保證蒸鍍速率維持平穩(wěn)狀態(tài)，可以提高蒸鍍膜層的均一性和OLED基板色度良率。

附圖說(shuō)明

圖1a為現(xiàn)有的坩堝的主視圖；

圖1b為現(xiàn)有的坩堝的俯視圖；

圖1c為圖1b中A-A’處的剖面圖；

圖2為現(xiàn)有的坩堝在進(jìn)行腔室切換時(shí)蒸鍍速率變化示意圖；

圖3a為本發(fā)明提供的坩堝的俯視圖；

圖3b為圖3a中B-B’處的剖面圖；

圖3c為圖3a中C-C’處的剖面圖。

圖例說(shuō)明：

101、擋板102、凹槽 1、坩堝本體

2、第一擋板3、第二擋板 11、頂壁

12、底壁 13、第一側(cè)壁14、第二側(cè)壁