[發明專利]扇出型天線封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201711014958.6
• 申請日: 2017-10-25
• 公開（公告）號: CN107706521A
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠;吳政達;林章申;何志宏
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01L21/56
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 余明偉

1.一種扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述扇出型天線封裝結構包括：

半導體芯片；

塑封材料層，包括相對的第一表面及第二表面，所述塑封材料層塑封于所述半導體芯片的外圍；

金屬連線，位于所述塑封材料層內，且上下貫通所述塑封材料層；

天線結構，位于所述塑封材料層的第一表面上，且與所述金屬連線電連接；

重新布線層，位于所述塑封材料層的第二表面上，且與所述半導體芯片及所述金屬連線電連接；

焊球凸塊，位于所述重新布線層遠離所述塑封材料層的表面上，且與所述重新布線層電連接。

2.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述半導體芯片包括：

裸芯片；

接觸焊墊，位于所述裸芯片上，并與所述裸芯片電連接；其中，所述接觸焊墊所在的表面為所述半導體芯片的正面。

3.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述金屬連線包括：

連接凸塊；與所述重新布線層電連接；

金屬線，位于所述連接凸塊上，與所述連接凸塊及所述天線結構電連接。

4.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述天線結構包括交替疊置的介質層及金屬天線，且所述天線結構的頂層為金屬天線，相鄰所述金屬天線之間及所述金屬天線與所述金屬連線之間均經由金屬插塞電連接。

5.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述天線結構包括一層金屬天線。

6.根據權利要求4或5所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述金屬天線的形狀呈矩形螺旋狀。

7.根據權利要求6所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述金屬天線的數量為多個，多個所述金屬天線沿所述介質層表面延伸的方向呈陣列排布。

8.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述重新布線層包括：

絕緣層，位于所述塑封材料層的第二表面上；

凸塊下金屬層，位于所述絕緣層內，且與所述半導體芯片及所述金屬連線電連接；

至少一層金屬線層，位于所述絕緣層內，且與所述凸塊下金屬層及所述焊球凸塊電連接。

9.根據權利要求1所述的扇出型天線封裝結構，其特征在于，所述扇出型天線封裝結構還包括連接焊球，所述連接焊球位于所述塑封材料層內，且位于所述半導體芯片與所述重新布線層之間，以將所述半導體芯片與所述重新布線層電連接。

10.一種扇出型天線封裝結構的制備方法，其特征在于，所述扇出型天線封裝結構的制備方法包括如下步驟：

1)提供一載體，并于所述載體的上表面形成剝離層；

2)于所述剝離層的表面形成重新布線層；

3)提供半導體芯片，將所述半導體芯片正朝下裝設于所述重新布線層的表面；

4)采用打線工藝于所述重新布線層的表面形成金屬連線；

5)于所述剝離層的表面形成塑封材料層，所述塑封材料層填滿所述半導體芯片與所述金屬連線之間的間隙及所述半導體芯片與所述重新布線層之間的間隙，并將所述半導體芯片及所述金屬連線塑封；所述塑封材料層包括相對的第一表面及第二表面，所述塑封材料層的第二表面與所述重新布線層相接觸，且所述塑封材料層的第一表面暴露出所述金屬連線的上表面；

6)于所述塑封材料層的第一表面形成天線結構，所述天線結構與所述金屬連線電連接；

7)去除所述載體及所述剝離層；

8)于所述重新布線層遠離所述塑封材料層的表面形成焊球凸塊，所述焊球凸塊與所述重新布線層電連接。