[發明專利]基于抗輻照雙極工藝用于寬電源范圍的帶隙基準啟動電路及方法

有效

• 申請號: 201711014546.2
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN107861554B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 肖筱
• 申請（專利權）人: 西安微電子技術研究所
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 李宏德

1.基于抗輻照雙極工藝用于寬電源范圍的帶隙基準啟動電路，其特征在于，包括連接的帶隙基準電路和啟動電路兩個單元；

所述啟動電路由齊納二極管D1、電阻R1、第一雙極晶體管組和第二雙極晶體管組組成，齊納二極管D1一端與正電源電壓AVDD相連，另一端與第二雙極晶體管組的基極和集電極以及電阻R1的一端連接，電阻R1的另一端與負電源電壓NAVDD相連；第一雙極晶體管組的發射極連接至帶隙基準電路，其基極和集電極均與第二雙極晶體管組的發射極相連。

2.根據權利要求1所述的基于抗輻照雙極工藝用于寬電源范圍的帶隙基準啟動電路，其特征在于，第一雙極晶體管組至少包括一個雙極晶體管Q16，當設置有多個雙極晶體管時，多個雙極晶體管串聯設置。

3.根據權利要求1所述的基于抗輻照雙極工藝用于寬電源范圍的帶隙基準啟動電路，其特征在于，第二雙極晶體管組至少包括一個雙極晶體管Q17，當設置有多個雙極晶體管時，多個雙極晶體管串聯設置。

4.根據權利要求1所述的基于抗輻照雙極工藝用于寬電源范圍的帶隙基準啟動電路，其特征在于，所述的帶隙基準電路由電阻R2、R3、R4、R5和R6，NPN型雙極晶體管Q1、Q2、Q3、Q8、Q9、Q10、Q11、Q12、Q13、Q14和Q15，以及PNP型雙極晶體管Q4、Q5、Q6和Q7組成；

NPN型雙極晶體管Q1的基極和集電極均連接至正電源電壓AVDD，發射極連接至電阻R2的一端；

電阻R2另一端與電阻R3的一端和PNP型雙極晶體管Q7的基極相連，電阻R3的另一端連接至PNP型雙極晶體管Q4管的發射極；

NPN型雙極晶體管Q2的基極和集電極均連接至正電源電壓AVDD，發射極與NPN型雙極晶體管Q3的基極和集電極相連；

NPN型雙極晶體管Q3的發射極與電阻R4的一端和PNP型雙極晶體管Q6的基極連接，電阻R4的另一端經電阻R5與PNP型雙極晶體管Q5的發射極相連；

電阻R6的一端與正電源電壓AVDD相連，另一端與PNP型雙極晶體管Q6的發射極和PNP型雙極晶體管Q7的發射極相連，PNP型雙極晶體管Q6的集電極和PNP型雙極晶體管Q7的集電極共同連接至Q13的基極；

PNP型雙極晶體管Q4和PNP型雙極晶體管Q5的基極分別連接至第一雙極晶體管組的發射極；

NPN型雙極晶體管Q8的基極和集電極均連接至偏置電壓Vbias和PNP型雙極晶體管Q5管的集電極，NPN型雙極晶體管Q8的發射極與NPN型雙極晶體管Q9的基極和集電極相連；

NPN型雙極晶體管Q9的發射極與NPN型雙極晶體管Q10的基極和集電極相連，NPN型雙極晶體管Q10的發射極與NPN型雙極晶體管Q11的基極和集電極相連，NPN型雙極晶體管Q11的發射極與NPN型雙極晶體管Q12的基極和集電極相連，NPN型雙極晶體管Q12的發射極與負電源電壓NAVDD相連；

NPN型雙極晶體管Q13的基極分別連接至NPN型雙極晶體管Q14的基極和集電極，以及PNP型雙極晶體管Q6和PNP型雙極晶體管Q7的集電極；NPN型雙極晶體管Q13的集電極分別連接至PNP型雙極晶體管Q4的集電極和NPN型雙極晶體管Q15的基極；NPN型雙極晶體管Q13的發射極分別連接至NPN型雙極晶體管Q14的發射極和負電源電壓NAVDD；

NPN型雙極晶體管Q15的基極分別連接至PNP型雙極晶體管Q4和NPN型雙極晶體管Q13的集電極，NPN型雙極晶體管Q15的集電極連接至輸出基準電流Iref，NPN型雙極晶體管Q15的發射極連接至NPN型雙極晶體管Q14的集電極。