[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201711012235.2
• 申請日: 2017-10-26
• 公開（公告）號: CN108015650B
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山下陽平;小幡翼;小川雄輝
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: B24B19/22
• 分類號: B24B19/22;B24B41/06;B28D5/00;B28D5/02;B23K26/402
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;喬婉

提供晶片的加工方法，將在正面上由多條分割預(yù)定線劃分為多個器件的晶片高效地分割成各個器件而不使器件的品質(zhì)降低。其中，該晶片的加工方法包含如下的工序：框架支承工序，在晶片(10)的正面(10a)上粘貼粘合帶(T)并且將粘合帶(T)的外周粘貼在具有收納晶片(10)的開口部的環(huán)狀框架(F)上，從而借助粘合帶(T)而利用環(huán)狀框架(F)對晶片(10)進行支承；背面磨削工序，對該晶片(10)的背面(10b)進行磨削而使該晶片薄化；切削槽形成工序，從該晶片(10)的背面(10b)與分割預(yù)定線(12)對應(yīng)地定位切削刀具(33)而形成未達到正面(10a)的切削槽(100)；切斷工序，從該晶片(10)的背面(10b)沿著該切削槽(100)照射激光光線而將該分割預(yù)定線(12)完全切斷；以及拾取工序，從該粘合帶拾取各個器件芯片。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶片的加工方法，將由多條分割預(yù)定線劃分為多個器件的晶片分割成各個器件芯片。

背景技術(shù)

通過具有切削刀具的切割裝置將由分割預(yù)定線劃分而在正面上形成有IC、LSI等多個器件的晶片分割成各個器件芯片，器件芯片被應(yīng)用于移動電話、個人計算機等電子設(shè)備。

近年來，公知有為了實現(xiàn)器件的高速化而在硅晶片等半導(dǎo)體基板的正面上形成多層低介電常數(shù)絕緣膜(所謂Low-k膜)來作為層間絕緣膜從而形成作為IC、LSI的功能層。這里，由于Low-k膜形成于晶片的正面?zhèn)日w，所以也會層疊在分割預(yù)定線上，當利用切削刀具將該晶片切斷時Low-k膜會像云母那樣剝離，存在器件的品質(zhì)降低的問題。

因此，提出并已實用化了如下的方法：從晶片的正面?zhèn)日丈浼す夤饩€而沿著分割預(yù)定線將Low-k膜去除，將切削刀具定位在該去除后的區(qū)域而進行切割，從而分割成各個器件芯片(例如，參照專利文獻1。)。

專利文獻1：日本特開2005-064231號公報

根據(jù)上述的專利文獻1所記載的加工方法，雖然能夠解決在通過直接切割將Low-k膜去除的情況下產(chǎn)生的問題，但為了超過切削刀具的寬度地將Low-k膜從間隔道上去除以使得切削刀具不與Low-k膜接觸，需要在分割預(yù)定線上形成至少兩條激光加工槽，存在生產(chǎn)性較差的問題。

此外，在實施上述的專利文獻1所記載的加工方法的期間，例如，明確了存在以下那些問題。

(1)即使實施對晶片的正面?zhèn)日丈浼す夤饩€而將Low-k膜去除的激光切槽加工，當Low-k膜的去除不充分時，有時也產(chǎn)生之后實施的切割時的切削刀具的偏移或傾倒，有時該切削刀具會出現(xiàn)不均勻磨損。

(2)當從晶片的正面?zhèn)冗M行激光切槽時，因所謂碎屑飛散而使器件的品質(zhì)降低，因此為了防止該情況而產(chǎn)生了另外涂布保護膜的需要，生產(chǎn)性降低。

(3)通過多次照射激光光線，可能會在晶片上殘留熱應(yīng)變而導(dǎo)致器件的抗折強度的降低。

(4)由于將激光加工槽形成得較寬以便超過切削刀具的寬度，所以需要寬度較寬的間隔道，用于形成器件的區(qū)域被壓迫，器件的獲取個數(shù)減少。

(5)在Low-k膜的上表面上，具有用于保護內(nèi)部不接觸外界的水分、金屬離子的由SiN或SiO₂構(gòu)成的鈍化膜，當從晶片的正面?zhèn)日丈浼す夤饩€時，透過該鈍化膜對Low-k膜進行加工，在Low-k膜上產(chǎn)生的熱量無法散發(fā)，Low-k膜發(fā)生剝離等，加工在橫向上變寬(也被稱為“底切”)，成為使器件的品質(zhì)降低的主要原因。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的在于，提供晶片的加工方法，能夠在晶片的正面上層疊多層層間絕緣膜而形成功能層，并且將由多條分割預(yù)定線劃分為多個器件的晶片高效地分割成各個器件芯片而不使器件的品質(zhì)降低。