[發(fā)明專利]GaN基單片集成式半橋電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201711000666.7 | 申請日： | 2017-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN107845630A | 公開（公告）日： | 2018-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳萬軍;信亞杰;施宜軍;崔興濤;李茂林;李佳;張波 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué);電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L27/07;H02M3/158 |
| 代理公司： | 成都點睛專利代理事務(wù)所(普通合伙)51232 | 代理人： | 孫一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | gan 單片 集成 式半橋 電路 | ||
1.GaN基單片集成式半橋電路，包括第一GaN HEMT器件、第二GaN HEMT器件和二極管，所述第一GaN HEMT器件為增強型器件；其特征在于，所述的第一GaN HEMT器件、第二GaN HEMT器件和二極管集成在同一GaN基上；其結(jié)構(gòu)為：
設(shè)定器件的剖面圖為由橫向方向和垂直方向構(gòu)成的平面，則沿垂直方向，從下至上依次包括：
襯底、GaN層、位于GaN層上的有源區(qū)；
沿橫向方向，從器件一端到另一端依次包括：
二極管的陰極、二極管的陽極、第一GaN HEMT器件的源極、第二GaN HEMT器件的源極、第二GaN HEMT器件的漏極、第一GaN HEMT器件的漏極；其中，所述的第一GaN HEMT器件的源極和第一GaN HEMT器件的漏極之間具有AlGaN層，AlGaN層下方的GaN基上層形成二維電子氣溝道，AlGaN層上具有第一GaN HEMT器件的柵極；所述的第二GaN HEMT器件的源極和第二GaN HEMT器件的漏極之間具有AlGaN層，AlGaN層下方的GaN基上層形成二維電子氣溝道，AlGaN層上具有第二GaN HEMT器件的柵極；并且第二GaN HEMT器件的漏極和第一GaN HEMT器件的源極之間具有間距；
其中，第一GaN HEMT器件的源極、第二GaN HEMT器件的漏極與二極管的陰極電氣連接，第二GaN HEMT器件的源極與二極管的陽極電氣連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
