[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710994759.X
• 申請(qǐng)日: 2017-10-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107641835B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康仁科;董志剛;歐李葦;時(shí)康;朱祥龍;周平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 大連理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C25F3/30
• 分類號(hào): C25F3/30
• 代理公司: 21212 大連東方專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 毛薇;李馨<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<

1.一種半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光的方法，其特征在于，包括以下步驟：⑴將晶片固定在拋光液池中隨拋光液池繞軸向旋轉(zhuǎn)，拋光液池中的拋光液完全浸沒(méi)晶片；

⑵將拋光墊固定在拋光軸上，經(jīng)驅(qū)動(dòng)與晶片產(chǎn)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)；所述拋光墊與晶片的接觸面積小于晶片的面積；

⑶拋光過(guò)程中采用紫外光輻照晶片表面；

所述拋光墊是含有磨料的拋光墊，所述磨料為氧化鈰或者氧化硅中的一種或兩種；

所述拋光液包括納米磨粒、氧化劑和水；所述納米磨粒的含量為拋光液的0.05-20wt.％；所述氧化劑的含量為拋光液的0.1-10wt.％；

所述納米磨粒為納米氧化鈰磨粒或納米二氧化硅磨粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光的方法，其特征在于，所述拋光墊負(fù)載有催化劑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光的方法，其特征在于，所述催化劑采用以下工序負(fù)載在拋光墊上：

a)先將納米級(jí)粒徑的催化劑利用超聲波振蕩分散在去離子水中；

b)再將拋光墊浸沒(méi)在分散有催化劑的去離子水中，超聲振蕩1-10min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光的方法，其特征在于，催化劑分散在拋光液中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光的方法，其特征在于，所述催化劑采用以下工序分散在拋光液中：催化劑先加入拋光液中，再通過(guò)超聲振蕩使其分散均勻。

6.根據(jù)權(quán)利要求3-5任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光的方法，其特征在于：所述的催化劑為鉑、金、銠、鈀、銥及其碳負(fù)載型催化劑中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片的光電化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述催化劑的粒徑為15-50nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光的方法，其特征在于，所述拋光墊的材質(zhì)為聚氨酯拋光墊，無(wú)紡布拋光墊，絨布拋光墊的其中一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片光電化學(xué)機(jī)械拋光的方法，其特征在于，所述的紫外光源是LED紫外光源、汞燈紫外光源、氙燈紫外光源、氘燈紫外光源中的一種或幾種，波長(zhǎng)<400nm。