[發明專利]一種用于晶體生長過程中回收銥粉的回收桶

在審

• 申請號: 201710992079.4
• 申請日: 2017-10-23
• 公開（公告）號: CN107653487A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 胡治軍
• 申請（專利權）人: 安徽中晶光技術股份有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及晶體生長技術領域，尤其涉及一種用于晶體生長過程中回收銥粉的回收桶 。

背景技術

YAG屬四方晶系，通常用熔體提拉法生長單晶，晶體是在銥鍋內生長，YAG晶體需要在高溫環境下生長，在高溫作業過程中，必然會造成大量原料的揮發，現有的回收桶內晶體生長的過程中原料中的銥會大量的揮發，晶體生長完后無法對揮發掉的銥進行二次利用，這樣會造成銥的資源浪費，令成本大大增加。

發明內容

本發明的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種用于晶體生長過程中回收銥粉的回收桶 。

為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：

一種用于晶體生長過程中回收銥粉的回收桶 ，其特征在于：包括底板，底板上方活動連接保溫管，底板上方鋪設墊層，墊層設置在保溫管內側，在墊層上方放置銥鍋，銥鍋包括底座，底座上側配合連接圓管，銥鍋外側與保溫管和墊層之間形成夾層，在夾層內填充保溫材料。

優選地，所述銥鍋外側設有保護外殼，在銥鍋與保護外殼之間的間隙內填充保溫層，在銥鍋內側設有防粘層。

優選地，所述保溫層為氧化鋯層。

優選地，在所述銥鍋上側活動連接銥鍋蓋，銥鍋蓋中心設有通孔。

優選地，在所述銥鍋蓋上方兩側對稱設有把手。

優選地，在所述圓管或底座外側設有環形凹槽，在環形凹槽內設有測溫環。

優選地，所述墊層為氧化鋯粉末鋪設而成。

優選地，所述保溫管為氧化鋯管。

優選地，所述保溫材料采用氧化鋯粉末。

本發明的優點在于：本發明所提供的一種用于晶體生長過程中回收銥粉的回收桶保溫性能好，能夠精確控制晶體爐內的溫場，為晶體的穩定生長提供了良好的環境，能夠控制晶體生長過程中銥粉的揮發，對晶體生長過程中揮發的銥進行吸收，晶體生長完成后能夠對原料中的銥進行二次提純，減少了原料的損耗。

附圖說明

圖1是本發明的基本結構示意圖；

圖2是銥鍋的結構示意圖；

圖3是底座與圓管的連接結構示意圖

圖4是銥鍋蓋的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

如圖1、圖2、圖3和圖4所示，本發明提供的一種用于晶體生長過程中回收銥粉的回收桶 ，其特征在于：包括底板21，底板21上方放置保溫管22，本實施例中保溫管22采用氧化鋯管。底板21上方鋪設墊層25，墊層25為氧化鋯粉末鋪設而成。墊層25設置在保溫管22內側，氧化鋯粉末將保溫管22內側下部鋪滿，鋪設厚度為10mm-20mm。

在墊層25上方放置銥鍋1，銥鍋1包括底座11，底座11為碗狀結構。底座11上側焊接圓管12，在圓管12或底座11外側設有環形凹槽13，在環形凹槽13內設有測溫環，測溫環采用現有技術，本實施例中優選在圓管12外壁設置環形凹槽13。

在銥鍋1外側設有保護外殼3，保護外殼3為鑄鐵、碳鋼或者不銹鋼制作而成的。在銥鍋1與保護外殼3之間的間隙內填充保溫層2，保溫層2為氧化鋯填充而成。在銥鍋1內側設有防粘層4，防粘層4為聚四氟乙烯或CM-C型材料噴涂而成。

在銥鍋1上側活動連接銥鍋蓋5，銥鍋蓋5中心設有通孔5.1，通孔5.1為晶體爐腔內提升桿和長成后的晶體讓位孔，銥鍋蓋5上方兩側對稱設有把手5.2，把手5.2方便操作人員取下銥鍋蓋5。

銥鍋1外側與保溫管22和墊層25之間形成夾層23，在夾層23內填充保溫材料，保溫材料采用氧化鋯粉末。

由于YAG晶體需要在高溫環境下生長，晶體生長過程中，造成大量的原料揮發，銥的揮發尤其嚴重，晶體在本回收桶內生長，揮發出來的銥一部分會與夾層23中的氧化鋯混合，另一部分會附著在保溫管22的管壁上。晶體生長完成后，通過相應的工藝對銥進行二次提存，大大降低了銥的損耗，從而減少了成本。