[發明專利]KDP類晶體長籽晶限制生長方法

有效

• 申請號: 201710987729.6
• 申請日: 2017-10-21
• 公開（公告）號: CN107805844B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 齊紅基;陳端陽;邵建達;謝曉義
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海光學精密機械研究所
• 主分類號: C30B29/14
• 分類號: C30B29/14;C30B7/08
• 代理公司: 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 張寧展

1.一種KDP類晶體長籽晶限制生長方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

1)制作晶體生長所用的生長槽，所述的生長槽上部安裝電機，該電機的轉軸下端連接載晶架的旋轉軸；

2)制作晶體生長所用的載晶架：所述的載晶架包括下托盤、與該下托盤面積相等的上擋板、至少兩根連接下托盤和上擋板的側桿、底部固定在上擋板中央的旋轉軸；

3)制作高度方向是[001]向的長籽晶：所述的長籽晶高度等于所述的載晶架的下托盤和上托盤之間的間距，所述的長籽晶的水平長度和寬度范圍為5～15mm；

4)將所述的長籽晶上下端面都點上AB膠，安裝在所述的載晶架的下托盤和上托盤的中心；

5)配制飽和點在45～85℃的晶體生長溶液；

6)將安裝有長籽晶的載晶架放入烘箱中預熱5～10小時，預熱溫度為所述的生長溶液的飽和點溫度；

7)預熱完成后，將安裝有長籽晶的載晶架放入配制好的生長溶液中，將所述的載晶架的旋轉軸連接在所述的電機轉軸上，啟動電機，設定轉速的范圍為20～50rpm，旋轉模式采用正轉25s-減速2s-停止1s-反向加速2s-反轉25s-減速2s-停止1s-正向加速2s的周期，其中s為秒；

8)將所述的生長溶液加熱至飽和點溫度之上2～10℃做過熱處理，使所述的長籽晶的四個側面全部溶解但又不至于將所述的長籽晶溶斷，然后降溫，使所述的生長溶液的過飽和度始終在5～15％之間，則晶體就在所述的長籽晶上開始生長，得到不包含柱錐交界面的晶體。