[發(fā)明專(zhuān)利]劃痕檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710983932.6 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108000348B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吉田真司 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社迪思科 |
| 主分類(lèi)號(hào): | B24B37/005 | 分類(lèi)號(hào): | B24B37/005;B24B49/12;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 劃痕 檢測(cè) 方法 | ||
提供劃痕檢測(cè)方法,對(duì)分割線和劃痕進(jìn)行區(qū)別而適當(dāng)?shù)貙?duì)劃痕進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明的劃痕檢測(cè)方法具有如下的工序:加工槽形成工序,在晶片(W)的正面形成分割槽(V);磨削工序,從背面對(duì)晶片進(jìn)行磨削而使加工槽露出;拍攝工序,對(duì)磨削后的晶片的被磨削面進(jìn)行拍攝;編輯工序,對(duì)晶片的拍攝圖像進(jìn)行坐標(biāo)轉(zhuǎn)換而編輯成帶狀圖像;去除工序,將相當(dāng)于分割線的線從帶狀圖像中去除;以及判斷工序,根據(jù)去除后的帶狀圖像,對(duì)有無(wú)劃痕進(jìn)行判斷。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對(duì)形成于磨削后的晶片的正面上的劃痕進(jìn)行檢測(cè)的劃痕檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
當(dāng)利用磨削裝置對(duì)晶片進(jìn)行橫向進(jìn)給磨削時(shí),在晶片的被磨削面上形成作為磨削痕的鋸痕。鋸痕從晶片的中心朝向外周呈放射狀形成。鋸痕中,特別是有時(shí)在加工中從磨削磨具脫落的磨粒與晶片的被磨削面接觸而產(chǎn)生作為擦傷的所謂的劃痕。該劃痕對(duì)形成于晶片的器件造成影響,因此在磨削結(jié)束時(shí)需要確認(rèn)有無(wú)劃痕。
因此,提出了在磨削加工后對(duì)晶片的劃痕進(jìn)行檢測(cè)的磨削裝置(例如,參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中,對(duì)加工后的晶片的被磨削面照射光束,根據(jù)其反射光的光量來(lái)判斷有無(wú)劃痕。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2009-95903號(hào)公報(bào)
然而,在磨削加工之前沿著分割預(yù)定線對(duì)晶片進(jìn)行半切割的DBG(Dicing BeforeGrinding,先切割再研磨)工藝中,通過(guò)實(shí)施磨削加工而將晶片分割成各個(gè)芯片。因此,在磨削后的晶片的被磨削面上除了上述的劃痕之外,分割線也會(huì)露出。
在該情況下,當(dāng)利用專(zhuān)利文獻(xiàn)1的磨削裝置實(shí)施劃痕檢測(cè)時(shí),除了劃痕之外,分割線也被檢測(cè)到。因此,設(shè)想無(wú)法對(duì)劃痕和分割線進(jìn)行區(qū)別而無(wú)法適當(dāng)?shù)貙?duì)劃痕進(jìn)行檢測(cè)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于該點(diǎn)而完成的,其目的之一在于提供一種劃痕檢測(cè)方法,能夠?qū)Ψ指罹€和劃痕進(jìn)行區(qū)別而適當(dāng)?shù)貙?duì)劃痕進(jìn)行檢測(cè)。
本發(fā)明的一個(gè)方式的劃痕檢測(cè)方法,在對(duì)由分割預(yù)定線劃分而在正面上形成有器件的晶片從正面?zhèn)妊刂指铑A(yù)定線形成未完全切斷的深度的分割槽然后利用磨削磨具對(duì)背面進(jìn)行磨削而使分割槽在背面?zhèn)嚷冻鰪亩鴮?duì)晶片進(jìn)行分割的晶片的分割中,利用拍攝單元對(duì)利用磨削磨具進(jìn)行了磨削的晶片的背面的被磨削面進(jìn)行拍攝而對(duì)有無(wú)劃痕進(jìn)行檢測(cè),其中,拍攝單元具有:線傳感器,其在晶片的半徑方向上延伸,對(duì)被磨削面進(jìn)行拍攝;以及發(fā)光體,其與線傳感器平行地延伸,照亮被磨削面,劃痕檢測(cè)方法具有如下的工序:拍攝工序,針對(duì)拍攝單元在晶片的半徑內(nèi)與徑向平行地定位延伸方向,使對(duì)晶片進(jìn)行保持的保持工作臺(tái)以晶片的中心為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn),從而拍攝單元將被磨削面拍攝成環(huán)狀而獲取拍攝圖像,拍攝圖像是因發(fā)光體的光在分割槽和劃痕處發(fā)生了散射的散射光而得到的;去除工序,從通過(guò)拍攝工序拍攝的拍攝圖像中將相當(dāng)于分割槽的格子狀的直線去除;以及判斷工序,當(dāng)在去除工序后的圖像中存在規(guī)定的寬度以上的圓弧或直線狀的線時(shí),判斷為產(chǎn)生了劃痕。
根據(jù)該結(jié)構(gòu),一邊使線傳感器對(duì)晶片的半徑部分進(jìn)行拍攝一邊使保持工作臺(tái)旋轉(zhuǎn),從而能夠獲取晶片的被磨削面的拍攝圖像。拍攝中,利用發(fā)光體照亮晶片的半徑部分,因此能夠根據(jù)拍攝圖像的明暗識(shí)別劃痕和相當(dāng)于分割槽的格子狀的直線(分割線)。特別是,通過(guò)將拍攝圖像編輯成帶狀圖像,能夠以具有規(guī)則性的直線表示劃痕。另一方面,在帶狀圖像上,分割線以與劃痕不同的線(例如曲線)表示。因此,能夠?qū)澓酆头指罹€進(jìn)行區(qū)別。并且,根據(jù)去除了分割線的帶狀圖像,對(duì)有無(wú)劃痕進(jìn)行判定,從而能夠適當(dāng)?shù)貙?duì)劃痕進(jìn)行檢測(cè)。
另外,在本發(fā)明的一個(gè)方式的上述劃痕檢測(cè)方法中,發(fā)光體的明亮度被調(diào)節(jié)為拍攝單元拍攝不到因磨削磨具而形成于晶片上的磨削痕的明亮度。
根據(jù)本發(fā)明,能夠?qū)Ψ指罹€和劃痕進(jìn)行區(qū)別而適當(dāng)?shù)貙?duì)劃痕進(jìn)行檢測(cè)。
附圖說(shuō)明
圖1是示出本實(shí)施方式的加工槽形成工序的一例的示意圖。
圖2的(A)和(B)是示出本實(shí)施方式的磨削工序的一例的示意圖。
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