[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710982761.5 | 申請(qǐng)日： | 2017-10-20 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107910319B | 公開（公告）日： | 2019-09-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 江忠信;紀(jì)光庭;鄭明祥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/66 | 分類號(hào)： | H01L23/66;H01L23/64;H01L23/552;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣高雄市楠梓*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種電子模塊，其包括：
電路板；
第一天線圖案，其位于所述電路板上；以及
半導(dǎo)體封裝裝置，其位于所述電路板上，所述半導(dǎo)體封裝裝置包括：
襯底，其包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；
半導(dǎo)體裝置，其位于所述襯底的所述第一區(qū)域上；以及
第二天線圖案，其位于所述襯底的所述第二區(qū)域上并且電連接到所述電路板上的所述第一天線圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其進(jìn)一步包括位于所述電路板上的第一電子組件，其中所述第一天線圖案進(jìn)一步包括第一線段以及通過所述第一電子組件電連接到所述第一線段的第二線段。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子模塊，其中所述第一電子組件是可變電容器。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子模塊，其進(jìn)一步包括位于所述襯底上的第二電子組件以及位于所述襯底上的第三電子組件，其中所述第二天線圖案進(jìn)一步包括電連接到所述第一天線圖案的所述第一線段的第三線段、通過位于所述襯底上的所述第二電子組件電連接到所述第三線段的饋電線、以及通過位于所述襯底上的所述第三電子組件電連接到所述饋電線的第四線段。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子模塊，其進(jìn)一步包括形成在所述襯底的所述第二區(qū)域的側(cè)壁表面上的導(dǎo)電圖案，其中所述第二天線圖案的所述第三線段通過所述導(dǎo)電圖案電連接到所述第一天線圖案的所述第一線段。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子模塊，其中所述襯底包括導(dǎo)電通孔，并且所述第二天線圖案的所述第三線段通過所述襯底中的所述導(dǎo)電通孔電連接到所述第一天線圖案的所述第一線段，其中所述導(dǎo)電通孔位于所述第三電子組件下方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中所述襯底的所述第二區(qū)域的寬度與所述第一和第二天線圖案的工作波長(zhǎng)的比小于0.013。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中所述襯底的所述第二區(qū)域的寬度與所述襯底的所述第二區(qū)域的長(zhǎng)度的比小于0.25。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中所述半導(dǎo)體封裝裝置設(shè)置在沿所述電路板的邊緣的中間位置處。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子模塊，其中所述半導(dǎo)體封裝裝置設(shè)置在所述電路板的拐角處。
11.一種半導(dǎo)體封裝裝置，其包括：
天線圖案，其包括饋電線、第一線段、第二線段和第三線段，其中所述饋電線設(shè)置在所述第一線段與所述第二線段之間，并且所述第二線段設(shè)置在所述饋電線與所述第三線段之間；
第一電子組件，其將所述第一線段與所述饋電線電連接；
第二電子組件，其將所述饋電線與所述第二線段電連接；以及
第三電子組件，其將所述第二線段與所述第三線段電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其進(jìn)一步包括：
襯底，其包括第一區(qū)域、第二區(qū)域、第一通孔和第二通孔，其中所述天線圖案、所述第一電子組件、所述第二電子組件和所述第三電子組件設(shè)置在所述襯底的所述第二區(qū)域上，所述第一通孔形成在所述第一電子組件下方，并且所述第二通孔形成在所述第三電子組件下方；以及
半導(dǎo)體裝置，其設(shè)置在所述襯底的所述第一區(qū)域上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其進(jìn)一步包括：
封裝主體，其覆蓋所述襯底的所述第一區(qū)域而暴露所述襯底的所述第二區(qū)域；以及
護(hù)罩，其位于所述封裝主體上。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其進(jìn)一步包括第四電子組件，其中所述天線圖案進(jìn)一步包括經(jīng)由所述第四電子組件電連接到所述饋電線的第四線段，其中所述第四線段實(shí)質(zhì)上平行于所述第二線段。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司，未經(jīng)日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710982761.5/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
