[發明專利]檢測電源噪聲的非易失性存儲設備及其操作方法

有效

• 申請號: 201710976440.4
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN108010555B
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 樸商秀;鄭宰鏞
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C29/02
• 分類號: G11C29/02;G11C29/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張泓

一種非易失性存儲設備，包括：存儲單元陣列，存儲數據；以及控制邏輯。所述控制邏輯被配置為控制對數據的讀取操作、編程操作或擦除操作。所述控制邏輯還被配置為基于提供給存儲單元陣列的電壓源中的一個和第一參考電壓，檢測第一電源噪聲，并基于電壓源中的所述一個電壓源、以及第一參考電壓和第二參考電壓中的每個，檢測第二電源噪聲。所述控制邏輯被配置為基于是否檢測到第一和第二電源噪聲中的至少一個，確定是否執行讀取操作的操作時段、編程操作的操作時段或擦除操作的操作時段中的至少一個。

對相關申請的交叉引用

本申請要求于2016年10月28日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2016-0142038的優先權的權益，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本文公開的發明構思的示例實施例涉及半導體存儲設備，并且更具體地涉及檢測電源噪聲的非易失性存儲設備及其操作方法。

背景技術

半導體存儲設備分為易失性半導體存儲設備和非易失性半導體存儲設備。

易失性半導體存儲設備的讀取和寫入速度快，但是當不向其供電時，丟失存儲在其中的數據。相反，即使不向其供電，非易失性半導體存儲設備也保持其中存儲的數據。為此，非易失性半導體存儲設備用于存儲不管是否向其供電都必須保持的信息。非易失性半導體存儲設備包括掩膜式只讀存儲器(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)等。

在非易失性半導體存儲設備中，可能由于各種因素而產生錯誤。非易失性半導體存儲設備可以通過從映射表去除其中產生錯誤的存儲塊來確保可靠性。然而，在大多數情況下，與由于物理缺陷導致的錯誤不同，由于電源噪聲導致的錯誤可能是瞬時的。

發明內容

本發明構思的一些示例實施例提供了一種非易失性存儲設備及其操作方法，檢測電源噪聲并使用檢測結果來管理存儲塊。

本發明構思的一些示例實施例提供了一種非易失性存儲設備，包括：存儲單元陣列，存儲數據；以及控制邏輯，控制對數據的讀取操作、編程操作或擦除操作。所述控制邏輯通過將要提供給存儲單元陣列的電壓源中的一個與第一參考電壓比較來檢測第一電源噪聲，并通過將要提供所述電壓源中的一個與第一參考電壓和第二參考電壓中的每一個比較來檢測第二電源噪聲。所述控制邏輯基于是否檢測到所述第一電源噪聲和第二電源噪聲中的至少一個，確定是否執行讀取操作、編程操作或擦除操作的操作時段中的至少一些。

本發明構思的一些示例實施例提供了一種存儲系統，包括非易失性存儲設備，所述非易失性存儲設備包括存儲單元陣列和控制邏輯。所述存儲單元陣列被配置為存儲數據。所述控制邏輯被配置為控制對數據的讀取操作、編程操作或擦除操作，基于要提供給存儲單元陣列的電壓源中的一個以及第一參考電壓和第二參考電壓來檢測第一電源噪聲和第二電源噪聲，并基于是否檢測到所述第一電源噪聲和第二電源噪聲中的至少一個，確定是否執行讀取操作的操作時段、編程操作的操作時段或擦除操作的操作時段中的至少一個。

本發明構思的一些示例實施例提供了一種非易失性存儲設備的操作方法，包括：執行操作的第一時段；檢測提供給存儲單元陣列的電壓源中的一個超過第一參考電壓的第一電源噪聲，以及檢測所述電壓源中的一個在所述第一參考電壓和第二參考電壓之間的第二電源噪聲；在響應于檢測到所述第二電源噪聲調整所述操作的第一時段的操作條件之后，再次執行所述操作的第一時段；響應于未檢測到第一電源噪聲和第二電源噪聲執行操作的第二時段；在操作的第二時段期間檢測第一電源噪聲或第二電源噪聲；在響應于檢測到第二電源噪聲調整操作的第二時段的操作條件之后，再次執行操作的第二時段；并且響應于在操作的第一時段或第二時段期間檢測到第一電源噪聲，執行操作的恢復時段。