[發明專利]一種高能太赫茲脈沖產生裝置及方法

有效

• 申請號: 201710976245.1
• 申請日: 2017-10-19
• 公開（公告）號: CN107561815B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 吳曉君;戴軍;方兆吉
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: G02F1/35
• 分類號: G02F1/35
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;吳歡燕

1.一種鈮酸鋰晶體結合結構，其特征在于，包括：底角為62~63度，頂角為54~56度的等腰三角形棱柱鈮酸鋰晶體以及一個厚度為1~5mm的鈮酸鋰晶片，所述鈮酸鋰晶片通過光學接觸的方法完全覆蓋于所述等腰三角形棱柱鈮酸鋰晶體底邊所在的柱面上；

其中，所述等腰三角柱形棱柱鈮酸鋰晶體的三個柱面經過光學拋光處理；所述鈮酸鋰晶體結合結構摻雜有5~6.2mol%的氧化鎂。

2.一種高能太赫茲脈沖產生裝置，其特征在于，包括：

飛秒激光器、反射光柵、半波片、成像透鏡和如權利要求1所述的鈮酸鋰晶體結合結構，所述飛秒激光器發射的泵浦飛秒激光通過所述反射光柵衍射到所述半波片上，經過所述半波片改變所述泵浦飛秒激光的偏振方向后，再通過成像透鏡后入射至如權利要求1所述的鈮酸鋰晶體結合結構中，從而在所述鈮酸鋰晶片中產生太赫茲脈沖輻射。

3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述反射光柵的刻線密度為1500~2000線每毫米。

4.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述光柵和所述鈮酸鋰晶體結合結構之間的成像透鏡為單個透鏡、雙透鏡組合或柱透鏡組合。

5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述成像透鏡的成像倍數為0.3~0.6倍。

6.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述泵浦飛秒激光入射到所述鈮酸鋰晶體結合結構時的所述泵浦飛秒激光的偏振方向與所述鈮酸鋰晶片的晶軸平行。

7.一種基于權利要求2-6任一所述裝置的高能太赫茲脈沖產生方法，其特征在于，包括：

對飛秒激光器發射的泵浦飛秒激光進行光柵衍射后垂直射到半波片上，經過所述半波片改變所述泵浦飛秒激光的偏振方向后，再垂直射向成像透鏡，進行縮小成像；

將縮小成像后的光束入射至如權利要求1所述的鈮酸鋰晶體結合結構中，在所述鈮酸鋰晶片內產生太赫茲脈沖輻射。

8.根據權利要求7的方法，其特征在于，所述泵浦飛秒激光入射到所述鈮酸鋰晶體結合結構時的所述泵浦飛秒激光的偏振方向與所述鈮酸鋰晶片的晶軸平行。