[發明專利]一種LED芯片的光刻結構制作方法在審
| 申請號： | 201710966493.8 | 申請日： | 2017-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN108011003A | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發明（設計）人： | 張銀橋;白繼鋒 | 申請（專利權）人： | 南昌凱迅光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 330052 江西省南昌*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 芯片 光刻 結構 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED芯片的光刻結構制作方法，其特征在于：包括以下步驟：
第一步：在GaAs基板上制備發光二極管外延片；
第二步：在外延層上制作金屬層；
第三步：在金屬層上涂布光刻膠層；
第四步：采用光刻版作為掩膜，對光刻膠層進行曝光，得到所需要的光刻膠圖形，
其中，光刻版是按照預先設定的芯片電極圖形和芯片面積的需要進行定制；
第五步：對經過曝光的光刻膠層進行顯影；
第六步：蝕刻帶有光刻膠電極圖形的金屬層；
第七步：去除光刻膠層，得到一致分布的金屬電極圖形。
2.如權利要求1所述的一種LED芯片的光刻結構制作方法，其特征在于：所述第四步中使用的光刻版的芯片面積一樣，但芯片電極圖形的尺寸不同，呈同心圓分布，由內向外的芯片電極尺寸逐級變化。
3.如權利要求2所述的一種LED芯片的光刻結構制作方法，其特征在于：所述電極尺寸變化范圍為直徑逐級增加0.5μm～2μm。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南昌凱迅光電有限公司，未經南昌凱迅光電有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710966493.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種編解碼方法及裝置
- 下一篇：一種折刀及其使用方法
