[發明專利]用于分區存儲塊的調節電路及其操作方法有效
| 申請號: | 201710965541.1 | 申請日: | 2017-10-17 |
| 公開(公告)號: | CN108231099B | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 池育德;于鴻昌;林谷峰 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C5/14 | 分類號: | G11C5/14;G11C7/08;G11C16/26;G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 分區 存儲 調節 電路 及其 操作方法 | ||
1.一種調節電路,包括:
控制器電路,被配置為輸出指示存儲器類型的控制信號;
定時器電路,被配置為基于所述控制信號輸出用于讀取存儲器操作的定時信號;
溫度自適應參考(TAR)生成器,被配置為基于溫度調節用于確認存儲器操作的確認參考電流,其中,基于所述控制信號來設置所述確認參考電流;以及
放大器電路,被配置為:
接收所述定時信號、所述確認參考電流以及由存儲單元提供的單元電流,其中,所述放大器電路基于所述定時信號、所述確認參考電流和所述單元電流來輸出信號。
2.根據權利要求1所述的調節電路,其中,所述定時信號包括用于第一存儲器類型的第一定時值或用于第二存儲器類型的第二定時值。
3.根據權利要求2所述的調節電路,其中,所述第一存儲器類型包括代碼存儲器以及所述第二存儲器類型包括數據存儲器。
4.根據權利要求3所述的調節電路,其中,分配給所述數據存儲器的存儲空間是動態可調的。
5.根據權利要求1所述的調節電路,其中,所述溫度自適應參考生成器包括:
帶隙參考電流生成器,被配置為輸出與絕對溫度成比例(PTAT)的電流;
第一電流鏡電路,被配置為使所述與絕對溫度成比例的電流倍增以生成改變的與絕對溫度成比例的電流;以及
第二電流鏡電路,被配置為基于所述改變的與絕對溫度成比例的電流生成經過調節的所述確認參考電流。
6.根據權利要求5所述的調節電路,其中,所述第二電流鏡電路包括基于所述控制信號選擇的多個可選晶體管。
7.根據權利要求2所述的調節電路,其中,所述第一存儲器類型包括代碼存儲器以及所述第二存儲器類型包括數據存儲器,并且,分配給所述數據存儲器的存儲空間是動態可調的。
8.一種存儲器系統,包括:
存儲器陣列,劃分成多個存儲塊,其中,將所述多個存儲塊中的一個或多個存儲塊劃分成與相應的存儲器類型相關的存儲扇區;
調節電路,包括:
控制器電路,被配置為輸出指示存儲器類型的控制信號;
定時器電路,被配置為基于所述控制信號向所述多個存儲塊輸出用于讀取存儲器操作的定時信號;和
溫度自適應參考(TAR)生成器,被配置為基于溫度調節用于確認存儲器操作的確認參考電流,其中,基于所述控制信號來設置所述確認參考電流;以及
放大器電路,被配置為:
接收所述定時信號、所述確認參考電流以及由所述多個存儲單元塊的存儲單元提供的單元電流;和
在基于所述定時信號的持續時間段內,比較所述確認參考電流和所述單元電流。
9.根據權利要求8所述的存儲器系統,其中,所述多個存儲塊中的每個均包括以矩陣格式布置的閃存單元,其中,所述矩陣格式具有對應于字線的行和對應于位線的列,所述存儲器系統還包括:
多個驅動器電路,被配置為向所述字線提供字線電壓,其中,所述多個驅動器電路中的每個均包括:
升高電流生成器,被配置為提供升高電流;
線性調節器,被配置為將所述字線電壓保持在預定電壓范圍內;
下拉器件,被配置為防止所述字線電壓的過沖;和
字線驅動器,被配置為將所述升高電流從所述升高電流生成器傳送至所述字線;以及
感測放大器電路,連接至所述位線,并且被配置為接收來自所述定時器電路的所述定時信號,以及接收來自所述溫度自適應參考生成器的經過調節的所述確認參考電流以分別在所述讀取存儲器操作和所述確認存儲器操作期間使用。
10.根據權利要求9所述的存儲器系統,其中,所述線性調節器還包括晶體管,其中,所述晶體管被配置為響應于內部節點降至電壓電平之下而向所述字線驅動器的所述內部節點傳輸電源電壓。
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