[發(fā)明專利]電致發(fā)光顯示裝置及其驅(qū)動方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710954333.1 | 申請日: | 2017-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN108257554B | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭和俊;張榮舜 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3233 | 分類號: | G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電致發(fā)光 顯示裝置 及其 驅(qū)動 方法 | ||
公開一種電致發(fā)光顯示器及其驅(qū)動方法。所述電致發(fā)光顯示器包括顯示面板,所述顯示面板包括與多條數(shù)據(jù)線和多條柵極線電氣連接的多個像素。每個像素包括驅(qū)動元件和開關(guān)元件,所述驅(qū)動元件依據(jù)柵極?源極電壓調(diào)整發(fā)光元件的電流,所述開關(guān)元件連接在所述驅(qū)動元件的源極與提供第一電壓的第一電壓源之間,所述第一開關(guān)元件在實時補償時間中阻斷所述第一電壓源與所述驅(qū)動元件的源極之間的通路。所述驅(qū)動元件的源極電壓在所述實時補償時間中發(fā)生變化。
本申請要求享有于2016年12月28日提交的韓國專利申請第10-2016-0181121號的權(quán)益,為了所有目的通過引用將該申請的全部內(nèi)容并入本申請,如同在本申請中完全描述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開內(nèi)容涉及電致發(fā)光顯示裝置及其驅(qū)動方法。
背景技術(shù)
電致發(fā)光顯示裝置根據(jù)發(fā)光層的材料被分類為無機電致發(fā)光顯示裝置和有機電致發(fā)光顯示裝置。有源矩陣有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括多個OLED且具有許多優(yōu)點,比如響應(yīng)時間快、發(fā)光效率高、亮度高、視角寬及類似優(yōu)點,所述OLED作為常用的電致發(fā)光二極管其本身能夠發(fā)光。
用作自發(fā)光元件的OLED包括陽極電極、陰極電極和陽極電極與陰極電極之間的有機化合物層。有機化合物層通常包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL。當(dāng)施加功率電壓至陽極電極和陰極電極時,穿過空穴傳輸層HTL的空穴和穿過電子傳輸層ETL的電子移動到發(fā)光層EML并結(jié)合,由此形成激子。因此,發(fā)光層EML通過激子產(chǎn)生可見光。
OLED顯示器包括矩陣中的多個像素且基于圖像數(shù)據(jù)的灰度來調(diào)整像素上實現(xiàn)的圖像的亮度,每個像素包括OLED和驅(qū)動薄膜晶體管(TFT)。驅(qū)動TFT依據(jù)驅(qū)動TFT的柵極電極與源極電極之間的電壓(以下稱作“柵極-源極電壓”)來控制OLED中流動的驅(qū)動電流。依據(jù)OLED的驅(qū)動電流確定由OLED發(fā)射的光量和圖像的亮度。
通常,當(dāng)驅(qū)動TFT在飽和區(qū)中操作時,在驅(qū)動TFT的漏極電極與源極電極之間流動的驅(qū)動電流Ids表示如下:
Ids=(1/2)*(μ*C*W/L)*(Vgs-Vth)2
在上面的等式中,μ是電子遷移率,“C”是柵極絕緣層的電容,“W”是驅(qū)動TFT的溝道寬度,“L”是驅(qū)動TFT的溝道長度。而且,Vgs是驅(qū)動TFT的柵極-源極電壓,Vth是驅(qū)動TFT的閾值電壓(或臨界電壓)。根據(jù)像素結(jié)構(gòu),驅(qū)動TFT的柵極-源極電壓Vgs可以是數(shù)據(jù)電壓與基準(zhǔn)電壓之間的電壓差。數(shù)據(jù)電壓是與圖像數(shù)據(jù)的灰度對應(yīng)的模擬電壓,基準(zhǔn)電壓是固定電壓。因此,根據(jù)數(shù)據(jù)電壓而編程或設(shè)定驅(qū)動TFT的柵極-源極電壓Vgs。然后,根據(jù)編程的柵極-源極電壓Vgs而確定驅(qū)動電流Ids。
像素的電特性,比如驅(qū)動TFT的閾值電壓Vth和電子遷移率μ以及OLED的閾值電壓,可為確定驅(qū)動TFT的驅(qū)動電流Ids量的因素。因此,全部像素應(yīng)具有相同的電特性。然而,由于諸如工藝變化和隨時間變化的特性之類的多種原因,像素之間的電特性可產(chǎn)生變化。像素之間的電特性的變化可導(dǎo)致圖像質(zhì)量降低及壽命縮短。
可應(yīng)用內(nèi)部補償方法和外部補償方法來補償驅(qū)動TFT的電特性的變化。內(nèi)部補償方法使用根據(jù)驅(qū)動TFT的電特性而變化的驅(qū)動TFT的柵極-源極電壓,自動補償像素之間的驅(qū)動TFT的電特性的變化。外部補償方法感測依據(jù)驅(qū)動TFT的電特性而變化的像素電壓并使用外部電路基于所感測的電壓調(diào)制輸入圖像的數(shù)據(jù),從而補償像素之間的驅(qū)動TFT的電特性的變化。
發(fā)明內(nèi)容
本公開內(nèi)容提供一種能夠?qū)崟r補償像素的電特性變化的電致發(fā)光顯示器及其驅(qū)動方法。
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