[發明專利]一種太陽能電池制備方法在審
| 申請號： | 201710952196.8 | 申請日： | 2017-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN107863410A | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發明（設計）人： | 于天寶;王茜茜 | 申請（專利權）人： | 南昌大學 |
| 主分類號： | H01L31/072 | 分類號： | H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南昌新天下專利商標代理有限公司36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池制備方法，其特征在于，所述太陽能電池制備方法中包括：
提供適用于制備太陽能電池的單晶硅片；
將所述單晶硅片固定，在所述單晶硅片表面形成規則形狀的陣列圖形；
將PEDOT:PSS溶液與硅烷偶聯劑進行混合得到混合溶液；
將定量的混合溶液滴在陣列圖形表面，旋涂均勻之后進行退火處理；
進一步將定量的PEDOT:PSS溶液滴在陣列圖形表面，旋涂均勻之后進行退火處理；
制備電極，完成太陽能電池的制備。
2.如權利要求1所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在所述陣列圖形中，每個單元結構呈正金字塔形。
3.如權利要求1或2所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在步驟提供適用于制備太陽能電池的單晶硅片中，包括：
提供普通單晶硅片；
對普通單晶硅片進行減薄處理到制定厚度；
對減薄后的單晶硅片進行親水處理，得到適用于制備太陽能電池的單晶硅片。
4.如權利要求1或2所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在步驟在所述單晶硅片表面形成規則形狀的陣列圖形中，具體為：
采用納米球刻蝕和濕法刻蝕的方法在單晶硅片表面得到規則形狀的陣列圖形。
5.如權利要求1或2所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在步驟在所述單晶硅片表面形成規則形狀的陣列圖形之后，還包括：
對蝕刻后的單晶硅片進行RCA清洗；
將清洗后的單晶硅片進行TMAH處理。
6.如權利要求1或2所述的太陽能電池制備方法，其特征在于，在步驟制備電極中，包括：在單晶硅片正面蒸鍍Ag電極，背面蒸鍍Al電極。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
