[發(fā)明專利]一種圖像局部對比度增強的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710950301.4
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN107767349B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴慶鴻;許神賢
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G06T5/00
• 分類號: G06T5/00;G06T3/40;G06T7/44
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種圖像局部對比度增強的方法，其特征在于，包括：

獲取像素點所在的第一區(qū)塊以及與所述第一區(qū)塊相鄰的第二區(qū)塊、第三區(qū)塊的來源灰階度；

獲取與所述像素點所在的第一區(qū)塊相對的第四區(qū)塊的來源灰階度；

根據(jù)所述像素點與所述第一區(qū)塊、所述第二區(qū)塊、所述第三區(qū)塊以及所述第四區(qū)塊之間的距離和所述來源灰階度分別計算相應(yīng)的線性插值；

通過非線性函數(shù)計算所述線性插值的非線性插值；

對所述非線性插值進行加權(quán)計算，獲得所述像素點的目標灰階度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像局部對比度增強的方法，其特征在于，所述第二區(qū)塊位于所述第一區(qū)塊的右方，所述第三區(qū)塊位于所述第一區(qū)塊的下方，所述第四區(qū)塊位于所述第一區(qū)塊的右下角。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像局部對比度增強的方法，其特征在于，所述線性插值與所述距離以及所述來源灰階度滿足如公式(1)所示的關(guān)系，

其中，G₁是所述第二區(qū)塊方向的線性插值，G₂是所述第三區(qū)塊方向的線性插值，G₃是所述第四區(qū)塊方向的線性插值，GrayUL是所述第一區(qū)塊的來源灰階度，GrayUR是所述第二區(qū)塊的來源灰階度，GrayDL是所述第三區(qū)塊的來源灰階度，GrayDR是所述第四區(qū)塊的來源灰階度；

過所述像素點作平行于所述第一區(qū)塊上邊緣的第一延長線，過所述像素點作垂直于所述第一區(qū)塊左邊緣的第二延長線，過四個所述區(qū)塊的交點和所述像素點做第三延長線，d₁是所述像素點到所述第一延長線與所述第二區(qū)塊右邊緣交點的距離，d₁′是所述像素點到所述第一延長線與所述第一區(qū)塊左邊緣的距離，d₂是所述像素點到所述第二延長線與所述第三區(qū)塊下邊緣交點的距離，d₂′是所述像素點到所述第二延長線與所述第一區(qū)塊上邊緣交點的距離，d₃是所述像素點到所述第三延長線與所述第四區(qū)塊邊緣交點的距離，d₃′是所述像素點到所述第三延長線與所述第一區(qū)塊邊緣交點的距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像局部對比度增強的方法，其特征在于，如果所述像素點在所述第一區(qū)塊中的對比度大于所述像素點在所述第一區(qū)塊相鄰區(qū)塊中的對比度，則所述非線性插值與所述線性插值滿足如公式(2)所示的關(guān)系，

G_i′＝f_a(G_i),i＝1,2,3 (2)

其中G_i′是所述非線性插值，G_i是所述線性插值，f_a是第一非線性函數(shù)，f_a函數(shù)的斜率絕對值隨著自變量的增大而減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像局部對比度增強的方法，其特征在于，如果所述像素點在所述第一區(qū)塊中的對比度小于所述像素點在所述第一區(qū)塊相鄰區(qū)塊中的對比度，則所述非線性插值與所述線性插值滿足如公式(3)所示的關(guān)系，

G_i′＝f_b(G_i),i＝1,2,3 (3)

其中，G_i′是所述非線性插值，G_i是所述線性插值，f_b是第二非線性函數(shù)，f_b函數(shù)的斜率絕對值隨著自變量的增大而增大。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的圖像局部對比度增強的方法，其特征在于，所述對所述非線性插值進行加權(quán)計算，獲得所述像素點的目標灰階度的步驟之前還包括：

將原圖進行二值化處理以獲得不同的邊緣形式；

針對不同形式的所述邊緣形式,確定不同的權(quán)重系數(shù)α。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像局部對比度增強的方法，其特征在于，所述加權(quán)計算中的權(quán)重數(shù)與所述距離滿足如公式(4)所示的關(guān)系，

其中，D_i是所述權(quán)重數(shù)，d_i是所述距離，α是權(quán)重系數(shù)。