[發(fā)明專利]非易失性存儲器裝置的操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710947609.3
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN109658968A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金完東
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;薛義丹

1.一種操作非易失性存儲器裝置的方法，所述非易失性存儲器裝置包括多個單元串，每個單元串包括沿著與基底的其上設(shè)置有單元串的表面垂直的方向堆疊的至少一個串選擇晶體管、多個存儲器單元、至少一個虛設(shè)存儲器單元以及至少一個地選擇晶體管，所述方法包括：

對所述多個單元串中的第一虛設(shè)存儲器單元執(zhí)行第一編程操作，在第一編程操作后，第一虛設(shè)存儲器單元具有第一閾值電壓；

使用驗證電壓對第一虛設(shè)存儲器單元執(zhí)行驗證操作，驗證電壓是第一虛設(shè)存儲器單元在第一編程操作后的目標閾值電壓的上限；

確定第一閾值電壓是否高于驗證電壓；

在確定第一閾值電壓高于驗證電壓的情況下，對第一虛設(shè)存儲器單元執(zhí)行第二編程操作以將第一虛設(shè)存儲器單元的閾值電壓從第一閾值電壓降低，在第二編程操作后，第一虛設(shè)存儲器單元具有第二閾值電壓，

其中，第二閾值電壓低于第一閾值電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一編程操作是用于將第一虛設(shè)存儲器單元的閾值電壓從初始閾值電壓提高到第一閾值電壓的操作，并且包括將第一編程操作電壓施加至第一虛設(shè)存儲器單元的柵極的步驟以及將低電壓供應(yīng)至第一虛設(shè)存儲器單元的溝道的步驟，第一編程操作電壓是正電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，低電壓通過以下步驟供應(yīng)：通過耦接至第一虛設(shè)存儲器單元的位線將第一低電壓供應(yīng)至第一虛設(shè)存儲器單元的漏極以及通過耦接至第一虛設(shè)存儲器單元的共源線將第二低電壓供應(yīng)至第一虛設(shè)存儲器單元的源極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，第一低電壓和第二低電壓分別是地電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，第二編程操作包括將第二編程操作電壓施加至第一虛設(shè)存儲器單元的柵極的步驟，第二編程操作電壓是負電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，第二編程操作還包括通過耦接至第一虛設(shè)存儲器單元的共源線將第三低電壓供應(yīng)至第一虛設(shè)存儲器單元的源極的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，通過分別將第一高電壓提供至選擇的位線以及將第二高電壓提供至對應(yīng)的串選擇晶體管的柵極，第一虛設(shè)存儲器單元的漏極被電浮置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，第二編程操作還包括對選擇的單元串的除了第一虛設(shè)存儲器單元的柵極之外的存儲器單元和虛設(shè)存儲器單元的柵極施加通過電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法還包括：

對所述多個單元串中的第二虛設(shè)存儲器單元執(zhí)行第一編程操作，以提高第二虛設(shè)存儲器單元的閾值電壓，在第一編程操作后，第二虛設(shè)存儲器單元具有第三閾值電壓；

使用驗證電壓對第二虛設(shè)存儲器單元執(zhí)行驗證操作；

確定第三閾值電壓是否等于或低于驗證電壓；

在確定第三閾值電壓等于或低于驗證電壓的情況下，在對第一虛設(shè)存儲器單元執(zhí)行第二編程操作的同時，對第二虛設(shè)存儲器單元禁止第二編程操作。

10.一種操作非易失性存儲器裝置的方法，所述非易失性存儲器裝置包括多個單元串，每個單元串包括在與基底的其上設(shè)置有單元串的表面垂直的方向上堆疊的至少一個串選擇晶體管、多個存儲器單元、至少一個虛設(shè)存儲器單元以及至少一個地選擇晶體管，所述方法包括：

確定是否滿足檢查條件；

在確定滿足檢查條件的情況下，使用第一驗證電壓對所述多個單元串中的第一地選擇晶體管執(zhí)行驗證讀取操作；

確定第一地選擇晶體管的第一閾值電壓是否高于第一驗證電壓；

在確定第一地選擇晶體管的第一閾值電壓高于第一驗證電壓的情況下，對第一地選擇晶體管執(zhí)行第一編程操作，以降低第一地選擇晶體管的第一閾值電壓。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，當溫度大于或等于第一溫度時或者當溫度小于或等于第二溫度時滿足檢查條件，其中，第二溫度小于第一溫度。