[發(fā)明專利]易失性存儲器存儲裝置及其刷新方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710945107.7
• 申請日: 2017-10-12
• 公開（公告）號: CN109658961B
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設計）人: 賴志菁
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發(fā)明提供一種易失性存儲器存儲裝置，包括存儲器陣列、刷新電路以及預程序化電路。存儲器陣列包括多個存儲器區(qū)塊。刷新電路耦接至存儲器陣列。刷新電路用以依據(jù)不同的刷新頻率對存儲器區(qū)塊進行刷新操作。預程序化電路耦接至刷新電路。預程序化電路用以存儲刷新頻率。另外，一種易失性存儲器存儲裝置的刷新方法也被提出。

技術領域

本發(fā)明涉及一種存儲器存儲裝置及其操作方法，尤其涉及一種易失性存儲器存儲裝置及其刷新方法。

背景技術

近來，行動裝置愈來愈受歡迎。由于行動裝置的電池壽命要盡可能地愈長愈好，因此，其中的電子元件的功率消耗需求要盡可能地愈小愈好。對傳統(tǒng)的易失性存儲器(例如，動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM))而言，其自我刷新電流(self-refresh current)的功率消耗必須足夠小以符合行動裝置的需求。在現(xiàn)有技術中，已有許多降低自我刷新電流的技術方案被提出。然而，這些技術方案各有其優(yōu)缺點，雖然降低了自我刷新電流，但卻又衍生出其他問題。因此，如何降低存儲器裝置的自我刷新電流又兼顧其他性能是本領域技術人員的重要課題之一。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供一種易失性存儲器存儲裝置及其刷新方法，其存儲器區(qū)塊(memorybank)具有不同的刷新頻率，可降低自我刷新電流。

本發(fā)明的易失性存儲器存儲裝置包括存儲器陣列、刷新電路以及預程序化電路。存儲器陣列包括多個存儲器區(qū)塊。刷新電路耦接至存儲器陣列。刷新電路用以依據(jù)不同的刷新頻率對存儲器區(qū)塊進行刷新操作。預程序化電路耦接至刷新電路。預程序化電路用以存儲刷新頻率。

本發(fā)明的易失性存儲器存儲裝置的刷新方法包括：判斷各存儲器區(qū)塊的數(shù)據(jù)保持能力；依據(jù)判斷結果來設定多個不同的刷新頻率；以及依據(jù)不同的刷新頻率對存儲器區(qū)塊進行刷新操作。所述刷新頻率成倍數(shù)關系。

基于上述，在本發(fā)明的示范實施例中，刷新電路依據(jù)不同的刷新頻率對存儲器區(qū)塊進行刷新操作，可降低易失性存儲器存儲裝置的自我刷新電流。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1示出本發(fā)明一實施例的易失性存儲器存儲裝置的概要示意圖。

圖2示出本發(fā)明一實施例的易失性存儲器存儲裝置的刷新方法的步驟流程圖。

100：易失性存儲器存儲裝置

110：存儲器陣列

112_1、112_2、112_3、112_4：存儲器區(qū)塊

120：刷新電路

130：預程序化電路

S100、S110、S120、S130：方法步驟

具體實施方式

以下提出多個實施例來說明本發(fā)明，然而本發(fā)明不僅限于所例示的多個實施例。又實施例之間也允許有適當?shù)慕Y合。在本申請說明書全文(包括權利要求)中所使用的“耦接”一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則應該被解釋成該第一裝置可以直接連接于該第二裝置，或者該第一裝置可以通過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。此外，“信號”一詞可指至少一電流、電壓、電荷、溫度、數(shù)據(jù)、電磁波或任何其他一或多個信號。