[發明專利]具有至少一個操縱器的投射曝光設備及操作其的方法有效
| 申請號: | 201710942715.2 | 申請日: | 2013-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN107589635B | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | B.比特納;N.瓦布拉;M.范霍登伯格 | 申請(專利權)人: | 卡爾蔡司SMT有限責任公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 至少 一個 操縱 投射 曝光 設備 操作 方法 | ||
1.一種微光刻投射曝光的系統,包括:
微光刻投射曝光設備,包括:
投射鏡,包括多個光學元件,配置為在曝光過程期間將掩模結構成像到基底上,所述多個光學元件包括第一光學元件;
操縱器,配置為沿著預定行程方向改變所述第一光學元件的狀態變量;以及
第一計算裝置,與所述操縱器通訊,所述第一計算裝置編程為基于優化算法為所述操縱器建立行程;以及
第二計算裝置,布置在所述微光刻投射曝光設備的外面,所述第二計算裝置與第一計算裝置通訊,所述第二計算裝置編程為基于關于所述掩模結構信息給所述第一計算裝置提供所述優化算法。
2.如權利要求1所述的系統,其中所述關于所述掩模結構的信息包括選自由以下構成的組的至少一個參數:線寬、所述掩模結構的幾何結構的特征以及掩模結構的取向。
3.如權利要求1或2所述的系統,其中狀態變量的變化在所述曝光過程期間改進所述投射鏡的圖像質量。
4.如權利要求1或2所述的系統,其中所述第一光學元件的狀態變量是所述第一光學元件的位置的自由度。
5.如權利要求1或2所述的系統,其中所述操縱器通過對所述第一光學元件施加熱和/或冷來改變所述第一光學元件的狀態變量。
6.如權利要求1或2所述的系統,其中所述第二計算裝置編程為給所述第一計算裝置提供所述優化算法,作為配置為基于表征投射鏡的成像質量的至少一個像差參數為所述操縱器建立所述行程的算法。
7.如權利要求1或2所述的系統,其中所述第二計算裝置編程為基于包括多個基函數的數學模型給所述第一計算裝置提供所述優化算法。
8.如權利要求1或2所述的系統,其中所述第二計算裝置編程為從包括多個存儲算法的數據庫中擷取所述優化算法提供給所述第一計算裝置。
9.如權利要求1或2所述的系統,其中所述第二計算裝置編程為考慮到在所述曝光過程期間所述投射鏡的成像質量的變化而優化所述優化算法。
10.如權利要求9所述的系統,其中所述第二計算裝置編程為考慮在所述曝光過程期間元件的加熱而優化所述優化算法。
11.如權利要求9所述的系統,其中所述第二計算裝置編程為考慮到所述曝光過程對至少一個光刻誤差的影響而優化所述優化算法。
12.如權利要求11所述的系統,其中所述至少一個光刻誤差包括重疊誤差。
13.如權利要求9所述的系統,其中所述第二計算裝置編程為基于優值函數來優化所述優化算法。
14.如權利要求1所述的系統,其中所述微光刻投射曝光設備包括測量外部物理變量的傳感器和考慮到使用所述傳感器進行的測量來建立所述行程。
15.如權利要求14所述的系統,其中所述外部物理變量是氣壓。
16.在微光刻投射曝光設備的投射鏡中的光學元件的操縱方法,投射鏡配置為在曝光過程期間將掩模結構成像至基底上,所述方法包括:
將優化算法傳至與所述微光刻投射曝光設備相關的第一計算裝置,所述第一計算裝置與操縱器通訊,并且所述優化算法基于掩模結構的信息;
使用所述第一計算裝置,基于所述優化算法為所述操縱器建立行程;以及
基于為所述操縱器建立的行程,使用所述操縱器沿著預定行程方向改變第一光學元件的狀態變量。
17.如權利要求16所述的方法,其中關于所述掩模結構的信息包括選自以下構成的組的至少一個參數:線寬、所述掩模結構的幾何結構的特征、和掩模結構的取向。
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