[發明專利]晶片層合體、其制備方法和用于晶片層合體的粘合劑組合物有效
| 申請號: | 201710940342.5 | 申請日: | 2017-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN107919314B | 公開(公告)日: | 2023-09-05 |
| 發明(設計)人: | 安田浩之;菅生道博;加藤英人 | 申請(專利權)人: | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;C09J161/12;C09J183/06 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 杜麗利 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 合體 制備 方法 用于 粘合劑 組合 | ||
1.晶片層合體,其包括載體、在載體上形成的粘合劑層和以使具有電路表面的晶片的表面朝向粘合劑層的方式層合在粘合劑層上的晶片,
其中粘合劑層為混合物的粘合劑組合物的固化產物,該混合物包含樹脂A和樹脂B,樹脂A含有由下式(1)表示的重復單元并且具有500至500,000的重均分子量,樹脂B含有硅氧烷骨架:
其中R1至R3獨立地為氫原子、羥基或選自具有1至20個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基、具有1至15個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷氧基和芳基的具有1至20個碳原子的一價有機基團,其中R1至R3的至少一個為羥基,R4為氫原子或選自其中一部分氫原子任選地被烷基、芳基、醛基團、鹵素原子、硝基、腈基團或羥基取代的烷基、苯基、萘基、蒽基和降冰片基的具有1至30個碳原子的一價有機基團。
2.根據權利要求1所述的晶片層合體,其中所述粘合劑層對于具有355nm的波長的光具有至多20%的透射率。
3.根據權利要求1所述的晶片層合體,其中所述樹脂B為酚改性的有機硅樹脂,其包括由以下式(2)表示的重復單元和任選的由以下式(3)表示的重復單元并且具有3,000至500,000的重均分子量:
其中R5至R8獨立地為具有1至8個碳原子的一價烴基;m為1至100的整數;A和B為滿足0A≤1,0≤B1和A+B=1的正數;Y為由以下式(4)表示的二價有機基團;
其中Z為單鍵或選自下式的二價有機基團,
R9和R10獨立地為具有1至4個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基或為直鏈、支鏈或環狀烷氧基;k為0、1或2。
4.根據權利要求1所述的晶片層合體,其中所述粘合劑組合物進一步包含交聯劑。
5.根據權利要求1所述的晶片層合體,其中所述粘合劑組合物進一步包含有機溶劑。
6.用于制備根據權利要求1所述的晶片層合體的方法,所述方法包括:
(a)直接在載體上形成粘合劑層的步驟;
(b)在減壓下將粘合劑層結合至晶片的形成電路的表面的步驟,和
(c)使粘合劑組合物的層經歷熱固化由此形成粘合劑層的步驟。
7.用于制備薄晶片的方法,其包括研磨或拋光通過權利要求6所述的方法獲得的晶片層合體的步驟,在晶片的未形成電路的一面進行研磨或拋光。
8.粘合劑組合物,其是混合物,該混合物包含含有由以下式(1)表示的重復單元并且具有500至500,000的重均分子量的樹脂和含有硅氧烷骨架的樹脂:
其中R1至R3獨立地為氫原子、羥基或選自具有1至20個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷基、具有1至15個碳原子的直鏈、支鏈或環狀烷氧基和芳基的具有1至20個碳原子的一價有機基團,其中R1至R3的至少一個為羥基,R4為氫原子或選自其中一部分氫原子任選地被烷基、芳基、醛基團、鹵素原子、硝基、腈基團或羥基取代的烷基、苯基、萘基、蒽基和降冰片基的具有1至30個碳原子的一價有機基團。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





