[發明專利]一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉及制備方法

在審

• 申請號: 201710940135.X
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN109659809A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發明（設計）人: 徐建衛
• 申請（專利權）人: 上海矽安光電科技有限公司
• 主分類號: H01S5/024
• 分類號: H01S5/024
• 代理公司: 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297
• 代理人: 周高

1.一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，包括一硅片，所述硅片的正、反面均拋光，硅片的正面上方由下往上依次設有第一二氧化硅層、第一氮化硅層，硅片的反面下方由上往下依次設有第二二氧化硅層、第二氮化硅層，所述第一氮化硅層上制作有金屬電路，所述第二氮化硅層上制作有背面金錫層，該金屬電路與背面金錫層之間由通孔電路連接。

2.如權利要求1所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，所述硅片的厚度為200~1000微米。

3.如權利要求2所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，所述第一、二二氧化硅層的厚度為100~2000埃，所述第一、二二氧化硅層為第一、二氮化硅層的應力緩解層。

4.如權利要求3所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，所述第一、二氮化硅層的厚度為1000埃~1微米，所述第一、二氮化硅層為絕緣層。

5.如權利要求4所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉，其特征在于，所述背面金錫層的厚度為1~5微米。

6.基于權利要求1至5中任一項所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：取一厚度為200~1000微米的硅片，且其正、反面均拋光處理；

步驟二：清洗；

步驟三：用熱氧化設備在硅片正、反面分別生長第一、二二氧化硅層，其厚度均在100~2000埃；

步驟四：在第一、二二氧化硅層上用PECVD工藝再分別生長第一、二氮化硅層，其厚度均為1000埃~1微米；

步驟五：在本發明的硅熱沉刻蝕通孔，孔徑在20~100微米之間；

步驟六：電鍍銅，形成上下互聯的通孔電路；

步驟七：利用光刻和刻蝕工藝在第一氮化硅層上形成金屬電路；

步驟八：在第二氮化硅層上蒸鍍背面金錫層。

7.如權利要求6所述的一種大功率半導體高頻激光器封裝用的硅熱沉的制備方法，其特征在于，步驟八中蒸鍍的背面金錫層的厚度為1~5微米。