[發(fā)明專利]一種銅催化刻蝕硅制備形貌可控絨面的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710939709.1 | 申請日: | 2017-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN107887458A | 公開(公告)日: | 2018-04-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李紹元;馬文會;鄒宇新;魏奎先;楊春曦;雷云;謝克強(qiáng);伍繼君;于潔;秦博;呂國強(qiáng);楊斌;戴永年 | 申請(專利權(quán))人: | 昆明理工大學(xué) |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236;H01L31/18;H01L21/306;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 650093 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 催化 刻蝕 制備 形貌 可控 方法 | ||
1.一種銅催化刻蝕硅制備形貌可控絨面的方法,其特征在于具體包括以下步驟:
(1)將金剛石線切割后的硅片進(jìn)行清洗預(yù)處理;
(2)將步驟(1)預(yù)處理后的硅片放入含有金屬銅鹽、氧化劑和刻蝕劑的刻蝕液中,進(jìn)行銅催化化學(xué)刻蝕反應(yīng),在硅片表面刻蝕出不同結(jié)構(gòu)的絨面,其中金屬銅鹽為Cu(NO3)2、CuCl2、CuSO4中的一種,氧化劑為H2O2、HNO3、H2CrO4、FeCl3溶液中的一種,刻蝕劑為HF,其中正金字塔結(jié)構(gòu)的刻蝕液為 HF-Cu(NO3)2-FeCl3或HF-Cu(NO3)2-H2CrO4,且刻蝕液中各成分的濃度為HF 0.1 ~10 mol/L,Cu(NO3)2 0.001~0.2 mol/L,F(xiàn)eCl3或H2CrO4 0.01~2 mol/L,倒金字塔結(jié)構(gòu)的刻蝕液為 HF-Cu(NO3)2-H2O2,且刻蝕液中各成分的濃度為 HF 0.1~10 mol/L,Cu(NO3)2 0.01~0.4 mol/L,H2O2 0.5~5.0 mol/L,蠕蟲狀織化表面結(jié)構(gòu)的刻蝕液為 HF-CuCl2-H2O2,且刻蝕液中各成分的濃度為 HF 0.1~10 mol/L,CuCl2 0.01~5mol/L, H2O2 0.2~5.0mol/L,凹坑型織化表面結(jié)構(gòu)的刻蝕液為HF-CuSO4-H2O2,且刻蝕液中各成分的濃度為HF 0.1~10mol/L,CuSO4 0.01~5 mol/L,H2O2 0.1~5.0 mol/L;
(3)依次用硝酸溶液、氫氟酸溶液和去離子水清洗刻蝕后的硅片,分別除去硅片表面殘留的金屬粒子、氧化層和化學(xué)殘留,即在硅表面制得形貌不同的絨面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅催化刻蝕硅制備形貌可控絨面的方法,其特征在于:步驟(1)的硅片為單晶硅片或多晶硅片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅催化刻蝕硅制備形貌可控絨面的方法,其特征在于:步驟(1)中金剛石線切割硅片后的硅片表層覆蓋的非晶硅層厚度為1~100nm,硅片表面的線痕高度為1~10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅催化刻蝕硅制備形貌可控絨面的方法,其特征在于:步驟(1)的清洗預(yù)處理為將金剛石線切割后硅片放入質(zhì)量濃度為1~10%的HF 溶液中浸泡60~1800s,然后再用去離子水進(jìn)行超聲清洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅催化刻蝕硅制備形貌可控絨面的方法,其特征在于:步驟(2)中銅催化化學(xué)刻蝕反應(yīng)的溫度為15~95℃,刻蝕時間為5~600min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅催化刻蝕硅制備形貌可控絨面的方法,其特征在于:步驟(3)中硝酸的質(zhì)量濃度為5~68%,硝酸清洗的時間為1~30min,清洗溫度為 15~90℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅催化刻蝕硅制備形貌可控絨面的方法,其特征在于:步驟(3)中氫氟酸的質(zhì)量濃度為1~10%,硝酸清洗的時間為1~30min,清洗溫度為 15~90℃。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





