[發(fā)明專利]低能量背散射電子探測器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710936186.5 | 申請日： | 2017-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN107976458A | 公開（公告）日： | 2018-05-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李國慶;韓華;馬宏圖;陳曦 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學院自動化研究所 |
| 主分類號： | G01N23/203 | 分類號： | G01N23/203 |
| 代理公司： | 北京瀚仁知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11482 | 代理人： | 宋寶庫,王世超 |
| 地址： | 100080 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 能量 散射 電子 探測器 | ||
1.一種低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述低能量背散射電子探測器包括第一內(nèi)圈部分和第二外圈部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述第一內(nèi)圈部分為環(huán)形，所述第二外圈部分包括繞所述第一內(nèi)圈部分均勻地周向設(shè)置的多個子部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述第二外圈部分包括兩個對稱設(shè)置的半環(huán)形子部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述第二外圈部分包括四個對稱設(shè)置的四分之一環(huán)形子部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的低能量背散射電子探測器，所述低能量背散射電子探測器包括半導體探測基底和設(shè)置在所述半導體探測基底表面的覆膜，所述覆膜的材料為：鈹、碳或石墨烯，或者這三種材料的任意組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述覆膜的厚度≤10nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述覆膜的厚度為5-10nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述覆膜的厚度<5nm。
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