[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法和半導(dǎo)體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710934832.4 | 申請日： | 2017-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN109659290B | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 柴娜;錢洪濤;趙九洲 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;高偉 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半導(dǎo)體晶圓，所述半導(dǎo)體晶圓上形成有虛擬鋁焊盤；
在所述虛擬鋁焊盤上形成吸氟層，其中，在所述半導(dǎo)體晶圓上形成有切割道，所述虛擬鋁焊盤設(shè)置在所述切割道上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述虛擬鋁焊盤與芯片鋁焊盤位于同一層并在同一工藝中形成。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述虛擬鋁焊盤上形成吸氟層的步驟包括：
在所述半導(dǎo)體晶圓上形成圖案化光刻膠層，所述圖案化光刻膠層露出擬形成所述吸氟層的區(qū)域；
執(zhí)行氧處理工藝，以在所述虛擬鋁焊盤上形成所述吸氟層。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述吸氟層包含Al2O3。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述氧處理工藝包括在氧氣氣氛下對所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行熱處理工藝。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述熱處理工藝的溫度小于等于90℃。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述吸氟層為矩形圖形。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述矩形圖形的長寬比大于2。
9.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述虛擬鋁焊盤均勻分布于所述半導(dǎo)體晶圓上。
10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體晶圓，所述半導(dǎo)體晶圓上形成有虛擬鋁焊盤；
所述虛擬鋁焊盤的表面形成有吸氟層，其中，所述半導(dǎo)體晶圓上形成有切割道，所述虛擬鋁焊盤設(shè)置在所述切割道上。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述吸氟層包含Al2O3。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述虛擬鋁焊盤與芯片鋁焊盤位于同一層。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述吸氟層為矩形圖形。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述矩形圖形的長寬比大于2。
15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述虛擬鋁焊盤均勻分布于所述半導(dǎo)體晶圓上。
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