[發明專利]一種全固態的電場可重構磁光器件有效
| 申請號: | 201710933019.5 | 申請日: | 2017-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN107678190B | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | 畢磊;朱銀龍;秦俊;梁瀟;張燕;王闖堂 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | G02F1/09 | 分類號: | G02F1/09 |
| 代理公司: | 51203 電子科技大學專利中心 | 代理人: | 閆樹平 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁光效應 操控 電場 全固態 磁性絕緣體 磁光器件 磁性薄膜 材料層 可調 半導體 半導體工藝 磁性介質層 等比例縮小 靜態功耗 離子導電 離子遷移 均勻性 可重構 微米級 細絲 兼容 | ||
2.如權利要求1所述全固態的電場可重構磁光器件,其特征在于:所述磁性介質層不能直接在底電極上生長時,需在底電極與磁性介質層間加入種子層,以解決磁性介質層與底電極的晶格失配,實現磁性介質層的生長,種子層厚度小于1μm。
3.如權利要求1所述全固態的電場可重構磁光器件,其使用方法如下:
步驟1、將器件的底電極、頂電極與電壓源兩極連接,然后將器件置于磁光效應測試系統中;再用磁光效應測試系統中的光源照射在頂電極上以激發器件的磁光效應,并用探測器接收從頂電極表面反射回來的光;
步驟2、通過磁光效應測試系統測試器件加電前初始的磁光效應值;
步驟3、設置電壓源施加電壓于器件兩電極,使頂電極為負電勢,底電極為正電勢,保持電壓;然后撤去電壓,器件的反射率增強,磁光效應變弱,通過控制電壓的幅度和保持時間調控磁光效應削弱的程度;
步驟4、改變電壓源所加電壓的極性,使頂電極為正電勢,底電極為負電勢,保持電壓;然后撤去電壓,器件反射率削弱,磁光效應增強,通過控制電壓的幅度和保持時間調控磁光效應增加的程度。
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